◎成膜・エッチングプロセスの最適化を実現するには？
◎プラズマを可視化し、電子・イオンの制御につなげる技術を詳解！
◎放電・反応性プラズマの高精度プロセス技術を徹底解説！　 　 　

半導体プラズマプロセス技術の制御と計測・モニタリング

-可視化・異常検知・高精度プロセス最適化-

・放電プラズマ、反応性プラズマを制御するための電子密度・電子温度・電力制御技術、ガス供給のポイント


・真空環境を設計するためのガス特性・排気系の設計技術・計測技術・トラブル対策を体系化


・発光分光法、四重極質量分析法、探針法によるプラズマ状態の計測技術


・活性粒子計測、異常放電検知、イオンエネルギー分布、プラズマ中イオン種の計測、ラジカル測定とモニタリング技術


・プラズマCVD・ALDプロセスの低ダメージ、低温・高速成膜技術、膜密度・膜厚の制御、密着性向上


・スパッタ成膜技術の膜厚コントロール技術、薄膜の組成、結晶性、電気特性、機械特性制御


・エッチングプロセスの高速化、ダメージの低減とプラズマ耐性材料の開発


・プロセス中に発生するパーティクルの発生メカニズム、検出と対策技術

第1節　プラズマプロセスの基礎
1.プラズマの基礎
　1.1 プラズマの物理
　　1.1.1 プラズマの維持
　　1.1.2 パッシェンの法則
　　1.1.3 電子の速度分布とエネルギー分布
　　1.1.4 プラズマ電位・浮遊電位とボルツマン分布関数
　　1.1.5 シースの形成
　1.2 プラズマプロセスの物理化学
　　1.2.1 分子の励起・解離・イオン化
　　1.2.2 ラジカルの輸送と堆積
2.プラズマプロセス装置
　2.1 プラズマ発生装置
　2.2 RF放電の自己バイアス
3.プラズマプロセス
4.プラズマプロセスにおけるモニタリング・制御の必要性

第2節　放電プラズマの生成制御技術
1.放電プラズマの生成
　1.1 直流グロー放電
　1.2 パッシェンの法則
2.放電プラズマの制御
　2.1 電子密度と電子温度の制御
　2.2 反応性プラズマ制御のモデル
　2.3 電力供給の制御
　　2.3.1　周波数と時定数
　　2.3.2 高周波放電
　　2.3.3 マイクロ波放電
　2.4 ガス供給の制御
　2.5 磁場を用いた放電プラズマ生成
　2.6 大気圧プラズマの生成

第3節　プラズマの特性と半導体製造への応用
1.半導体製造に用いられるプラズマの特性
　1.1 非平衡プラズマ
　1.2 イオンシース
2.活性種の生成
　2.1 Franck-Condonの原理
　2.2 電子衝突による解離反応
3.プラズマを用いた薄膜堆積とエッチング技術
　3.1 直流放電プラズマ
　3.2 容量結合形プラズマ
　　3.2.1 プラズマ周波数と電源周波数
　　3.2.2 CCPの加熱機構
　　3.2.3 CCPの電位分布
　　3.2.4 プラズマCVD
　　3.2.5 ドライエッチング
　3.3 誘導結合形プラズマ
　　3.3.1 誘導結合型プラズマの原理
　　3.3.2 ICPエッチング装置

第4節　大気圧プラズマの発生方法と発生メカニズム
1.大気圧非熱プラズマの生成
2.プラズマとは？
3.プラズマの種類
4.パルスコロナプラズマ
5.誘電体バリア放電（DBD）プラズマ
6.高周波プラズマ
　6.1 沿面放電プラズマ
　6.2 誘導結合プラズマと容量結合プラズマ
　6.3 マイクロ波励起プラズマ
7.プラズマジェット
8.応用例

第1節　真空技術、真空プロセスの概要
1.真空の定義と分類
　1.1 真空とは
　　1.1.1 真空の単位
　　1.1.2 圧力による真空の分類
2.気体分子運動論
　2.1 気体の状態方程式
　2.2 ガス分子の速度分布
　2.3 平均自由行程
　2.4 入射頻度
3.クヌーセン数Knと粘性流・分子流
4.ガス分子の拡散・粘性・熱伝導
5.真空配管のコンダクタンス

第2節　真空計測の基本と注意点
1.真空計測の基礎
　1.1 圧力
　1.2 真空計の分類
　1.3 真空計測の注意点
2.全圧真空計
　2.1 隔膜真空計
　2.2 水晶摩擦真空計
　2.3 ピラニ真空計
　2.4 熱陰極電離真空計
　2.5 冷陰極電離真空計
　2.6 複合真空計
3.分圧真空計
　3.1 四極子形質量分析計
　3.2 磁界偏向型質量分析計

第3節　真空系の構成の基本と構成部品について
1.真空システムの構成
2.真空システムの設計
　2.1 実効排気速度
　2.2 排気の所要時間
　　2.2.1 理想的な排気
　　2.2.2. 実際の排気
3.2つの真空ポンプを使った排気
　3.1 主ポンプの選定
　3.2 補助ポンプの選定
4.真空装置の構成部品
　4.1 真空槽
　4.2 フランジ
　4.3バルブ
　4.4 運動導入器
　4.5 その他の真空部品

第4節　真空計測とリークテスト
1.真空計
　1.1 真空計の表示値
　1.2 ブルドン管圧力計（真空計、連成計）
　1.3 隔膜真空計
　1.4 ピラニ真空計
　1.5 電離真空計
　　1.5.1 B-A電離真空計
　　1.5.2 冷陰極電離真空計
2.分圧真空計とリークテスト
　2.1 分圧真空計
　2.2 分圧真空計を用いたリークテスト
3.ヘリウムリークディテクタとリークテスト
　3.21 ヘリウムリークディテクタ
　3.2 ヘリウムリークテストの方法
4.マスフローコントローラ
　4.1 流量の単位
　4.2 マスフローコントローラ
5.真空計測機器の校正

第5節　真空機器・システムの保守点検やトラブル対策
1.典型的な真空装置
2.真空装置設計上の検討項目
　2.1 気体分子の入射と馬鹿力、そして、数多くの事故例
　2.2 潰れてはいけない、歪んではいけない真空容器
　2.3 知らなかったでは済まされないリークテストのタイミング
　2.4 絶対に作ってはいけない擬似リーク
　2.5 忘れてはならない運用・保守のための人間工学的配慮
3.真空システムの汚染とは見える瑕疵・隠れた瑕疵
　3.1 至る所にある汚染の機会
　3.2 真空表面に素手で触れるとどう悪いのか
4.その操作では折角の真空システムが汚れてしまう！正しい真空装置の扱い方
　4.1 排気系の運転開始方法
　4.2 真空計の使用開始・停止方法
　4.3 ベーキング開始・停止方法
　4.4 各種熱源・励起源のガス出し・エージング方法
　4.5 各種熱源・励起源の停止方法
　4.6 排気系の停止方法と大気圧開放の手順
　　4.6.1 ベントガス系の準備と導入法
　　4.6.2 水分への対策
　　4.6.3 パーティクルへの対策

第1節　発光分光法およびレーザー誘起蛍光法によるプラズマ中のラジカル密度計測
1.発光分光法
　1.1 プラズマの発光の起源および線スペクトル発光強度
　1.2 プラズマ中の衝突・輻射過程とプラズマの平衡状態
　1.3 コロナ状態の特徴
　1.4 コロナ状態の発光強度
　1.5 アクチノメトリー法によるラジカル密度の推定
2.レーザー誘起蛍光法
　2.1 原子・分子と光子の相互作用
　2.2 レーザー誘起蛍光法の理論
　2.3 レーザー誘起蛍光法の装置
　2.4 レーザー誘起蛍光法の励起方式
　2.5 レーザー誘起蛍光法を用いたラジカル密度の可視化
　2.6 ラジカル密度の絶対値

第2節　非熱平衡プラズマの発生時間の占有比率による電子及びイオン温度計測
1.理論的背景
　1.1 熱平衡状態
　1.2 プラズマの発光観測
2.プラズマの発生時間と占有比率
　2.1 プラズマの発生時間と時間平均温度の関係
　2.2 プラズマの発光による時間平均温度の導出
　2.3 プラズマの時間平均温度と発生周波数の関係
　2.4 連続スペクトラム解析による電子及びイオンの温度導出

第3節　光渦ビームを用いたプラズマの流れ計測
1.イオン・中性粒子流れのレーザー計測
　1.1 ドップラー効果と流れ速度計測の原理
　1.2 レーザー吸収分光法（Laser Absorption Spectroscopy: LAS）
　1.3 レーザー誘起蛍光（Laser-Induced Fluorescence: LIF）法
　1.4 ドップラーシフトの１次元性の克服に向けて
2.光渦ビーム（ラゲール・ガウスモード）の基礎
　2.1 光渦ビームの特徴
　2.2 光渦ビームの生成方法
　2.3 光渦ビーム中のドップラー効果
3.光渦ビームを用いたプラズマの流れ計測法の開発
　3.1 光渦レーザー吸収分光法（Optical Vortex Laser Absorption Spectroscopy: OVLAS）
　3.2 非対称光渦レーザー誘起蛍光（Asymmetric Optical　Vortex Laser-Induced Fluorescence: aOVLIF）法

第4節　プラズマの分光計測
1.プラズマプロセスにおける分光計測
2.分光計測の全体像
　2.1 受動的分光計測と能動的分光計測
　　2.1.1 受動的分光計測
　　2.1.2 能動的分光計測
　2.2 スペクトルの種類
　　2.2.1 線スペクトル
　　2.2.2 バンドスペクトル
　　2.2.3 連続スペクトル
　　2.2.4 スペクトルの決定要因
　2.3 計測系
　　2.3.1 光学取り込み（視野・空間分解・視線積分）
　　2.3.2 分光器の選定（分解能・スループット・迷光）
　　2.3.3 検出器と取得条件（積算・ゲート・同期・飽和）
　　2.3.4 校正（波長・波長感度・絶対強度・装置幅）
　　2.3.5 S/N・ダイナミックレンジ・ベースライン処理
　　2.3.6 モニタリング運用（ドリフトの切り分けと保守）
　2.4 分光計測により測れるもの
　　2.4.1 種の同定（What is present）
　　2.4.2 相対変化のモニタリング（How it changes）
　　2.4.3 温度の推定（Temperature-related quantities）
　　2.4.4 粒子密度・電子密度の推定
　　2.4.5 能動的分光計測で得やすい量
　　2.4.6 分光が苦手なこと
3.実例：大気圧プラズマの分光計測
　3.1 発光種の評価
　3.2 各種温度の評価

第5節　レーザー吸収分光法によるレーザー生成プラズマの空間分解計測
1.LPPの空間分解計測
　1.1 計測原理
　　1.1.1 スペクトル
　1.2 LPPの内部構造
　1.3 LPPの空間分解計測

第6節　プラズマ中のラジカルのレーザー分光計測
1.レーザー誘起蛍光法
　1.1 LIFの原理
　1.2 空間分布の測定
　1.3 絶対密度の推定
　1.4 分子状ラジカルのエネルギー準位分布
2.原子状ラジカルに対するLIF計測
　2.1 TALIFにおける絶対密度校正
3.LIF測定における注意点
　3.1 線形性の確認
　3.2 脱励起レートの影響
　3.3 O原子の測定例

第1節　プラズマプロセスにおける活性粒子の計測、モニタリング技術
1.発光分光法に基づく活性粒子計測
　1.1 Actinometryの原理
　1.2 Actinometryを用いた粒子計測の実用例
2.吸収分光法を用いた粒子計測
　2.1 吸収分光法の原理
　2.2 吸収分光法を用いた粒子計測の実例

第2節　質量分析によるプラズマプロセスモニター
1.中性分子の測定
2.エッチング電極へ入射するイオンのエネルギー分析
3.プラズマ中の負イオン種の計測

第3節　プロセスプラズマにおけるAEセンサを用いた異常モニタリング手法
1.実験方法
2.実験結果

第1節　低圧プラズマCVD法を用いた薄膜作成技術
1.プラズマCVD法とは
　1.1プラズマCVDの特徴
　1.2 プラズマCVD法とプラズマスパッタリング法での薄膜の成膜技術の比較
　1.3 プラズマCVD装置の基本設計
2.マイクロパウダーを用いた低圧高周波プラズマCVD法による薄膜成膜技術
　2.1 マイクロパウダーガスを使用した低圧高周波プラズマCVD法の装置の概要
　2.2 マイクロパウダーガスを用いた低圧高周波プラズマCVD法による薄膜成膜
　2.3 マイクロパウダーガスによる低圧高周波プラズマCVD法の反応機構

第2節　光電子制御プラズマCVDを用いたナノグラファイト成膜の低ダメージプロセス技術
1.光電子制御プラズマCVDの原理
　1.1 光電子制御プラズマCVD装置の特徴とI-V特性
　　1.1.1 光電子制御プラズマの物理的メカニズム
　1.2 光電子制御プラズマCVDを用いた低ダメージ炭素膜合成の実例
　　1.2.1 グラフェンチャネルFETのゲート絶縁膜用DLCの低ダメージ堆積

第3節　ALD用原料とその原料を用いたALDプロセスの開発
1.ALD用プリカーサーの開発
　1.1 先行技術の調査
　1.2 プリカーサーの選択
　1.3 ALDプロセスの設計
　1.4 プラズマ支援ALD
2.開発事例
　2.1 Inプリカーサーの開発
　2.2 Gaプリカーサーの開発
　2.3 Znプリカーサーの開発

第4節　ALD技術による薄膜作製メカニズムとその応用事例
1.ALD法による薄膜形成の特徴2. ALD法による薄膜形成の特徴
2.三元系酸化物の材料設計と作製メカニズム
3.応用事例1：熱安定性を持つ非晶質IGOチャネル
4.応用事例2：高移動度多結晶IGOナノシートチャネル

第5節　反応性スパッタ法による酸化膜の構造と制御
1.スパッタ装置構成と基板バイアス印加機構
2.酸素流量(酸素分圧)制御による酸化度の制御
3.基板バイアス印加による極薄VO2薄膜の作製
4.バイアス印加によるVO2薄膜のモフォロジー及び電気・光学的特性変化
5.ZnO膜をバッファー層とするガラス基板上へのVO2成長
6.ICP支援スパッタ法によるガラス基板上へのZnO/VO2積層膜の作製

第6節　スパッタリング法の基礎と薄膜の特性制御・改善技術
1.スパッタリング法の基礎
2.スパッタリング法における物理現象
　2.1 プラズマ放電現象
　2.2 スパッタリング現象
3.スパッタリング薄膜の特性制御と安定化
　3.1 スパッタリング膜の特性
　3.2 膜厚の制御
　3.3 成膜条件変更による影響
　3.4 膜形成が進むにつれて起こる影響
　3.5 ロット生産中のコンディションの変化
　3.6 工程の長期的な変化
　3.7 プロセスモニタリング

第7節　極低温化学反応とプラズマを利用した低温成膜技術
1.極低温成膜法
　1.1 極低温成膜装置
　1.2 成膜原理
2.非晶質薄膜の極低温合成
　2.1 水素化非晶質シリコン（a-Si:H）
　　2.1.1 SiH4(10ML)およびSi2H6(10ML)への低速電子およびHe*照射による反応率の温度依存性
　　2.1.2 a-Si:Hの水素含有濃度および光学定数（n, k）の基板温度依存性
　　2.1.3 電気的特性評価
　2.2 極低温窒化a-SiNx
　2.3 カーボン系薄膜　　
　　2.3.1 水素化非晶質カーボン（a-C:H）
　　2.3.2 a-C:Hのトンネル電子顕微鏡観察とNEXAFS
　　2.3.3 フッ素化非晶質カーボン(a-C:F)
　2.4 Al2O3の低温合成

第8節　薄膜の形態観察と膜組成、結晶構造分析
1.薄膜評価の基本概念
　1.1 はじめに
　1.2 薄膜評価の基本事項
2.薄膜の形態観察
　2.1 概要
　2.2 電子顕微鏡
　2.3 走査プローブ顕微鏡
3.薄膜の組成分析
　3.1 概要
　3.2 電子プローブ微小分析
　3.3 電子分光
　3.4 二次イオン質量分析
4.薄膜の結晶構造解析
　4.1 概要
　4.2 X線回折
　4.3 TEM

第1節　レーザー生成プラズマEUV光源の高効率化
1.省エネ化に向けた動き
2.中赤外レーザーによるEUV光源の課題
3.新しい手法によるEUV光源の高効率化の実験例 ― マルチビーム照射法

第2節　半導体マスク欠陥を高感度検出する検査装置の開発
1.半導体マスクの製造並びに品質管理
　1.1 半導体マスク検査工程
　1.2 EUVマスクの構造とその検査方法
2.EUVマスク検査装置
　2.1 EUV光源
　2.2 EUV光学系
　2.3 EUV光源と照明光学系
　2.4 EUV光学系の運用
3.EUVブランクス検査装置
　3.1 位置づけと目的
　3.2 対象欠陥・EUV暗視野光学系と低倍/高倍運用
　3.3 High-NA世代に向けた要求と次世代ABI
4.EUVパターンマスク検査装置
　4.1 EUVパターンマスク
　4.2 EUVパターンマスク検査と光学系解像度
　4.3 パターンマスクの検査方法

第1節　プラズマ技術の基礎、プラズマ装置の概要とプラズマエッチングへの応用
1.産業界のプラズマの性質
　1.1 プラズマ中に存在する粒子： 電子、イオン、および中性粒子
　1.2 プラズマを用いてできること
2.プラズマを生成する電子の運動と役割
　2.1 プラズマ中の電子エネルギー分布
　2.2 磁化プラズマの特徴
3.3種類のプラズマエッチング装置
4.容量結合プラズマ (CCP)
5.誘導結合プラズマ（ICP）
　5.1 ICPエッチング装置の構造と等価回路
　5.2 ICPがCCPより高密度になる理由
　5.3 磁気中性線放電（ＮＬＤ）プラズマ
6.電子サイクロトロン共鳴 (ECR) プラズマ
7.プラズマエッチングで重要なシース
　7.1 シースについて
　7.2 ＲＦバイアスとシース
　7.3 シース電圧とシースの厚みの関係について
8.プラズマエッチングおよび反応性イオンエッチング
9.反応性イオンエッチング（RIE）におけるイオンフラックスの特性
10.反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の表面反応モデル

第2節　高密度反応性大気圧熱プラズマジェット発生技術を用いた有機材料の超高速エッチング
1.背景
2.実験方法
3.実験結果

第3節　次世代半導体金属材料のためのプラズマエッチングプロセスの開発
1.HfO2に対するエッチャントとしてのFラジカルの可能性
2.SiO2/Si選択エッチングからの類推
3.HfO2のO2プラズマ耐性
4.H2添加CF4プラズマにおけるHfO2のエッチング特性

第4節　ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果
1.n-GaNの紫外光支援プラズマエッチング
　1.1 表面モフォロジー変化
　1.2 化学組成変化
2.AlGaNの紫外光支援プラズマエッチング
　2.1 表面モフォロジー変化
　2.2 化学組成変化
　2.3 紫外光波長依存性

第5節　ナノインプリントリソグラフィを用いたシリコンフォトニクスプロセスの開発
1.シリコンフォトニクスプロセスに適する光硬化性樹脂
　1.1 SF6-C4F8プラズマ環境における高エッチング耐性
　1.2 SiO2クラッドとの整合性を考慮した除去プロセス
　1.3 既存研究の到達点と課題
2.UV-NILを用いたシリコンフォトニクスプロセス
　2.1 ワーキングスタンプの作製
　2.2 ワーキングスタンプを用いたパターン転写
　2.3 エッチングおよび構造形成
3.UV-NILのシリコンフォトニクスプロセスへの適用

第6節　プラズマエッチングでのパーティクルの発生メカニズムとその対策
1.プラズマエッチングにおけるパーティクルの発生
2.パーティクルの検出手法
3.パーティクル発生メカニズムの検証

第7節　ホロー電極を用いた高周波プラズマの高密度化とレジスト剥離の高速化
1.半導体プロセスにおける高周波プラズマの役割と課題
　1.1 集積回路LSI内のトレンチ作製プロセス
　1.2 トレンチ作製プロセスにおける高周波プラズマの役割と課題
2.レジスト剥離過程とその高速化に必要なプラズマ条件
　2.1 酸素プラズマ中のレジスト剥離過程
　2.2 レジスト膜のアッシング高速化に必要な条件
　2.3 レジスト剥離高速化のプラズマ条件
3.ホロー電極を用いた高周波高密度プラズマの生成原理とシミュレーション
　3.1 ホロー電極による高密度高周波プラズマの生成法
　　3.1.1　ホロー陰極放電
　　3.1.2 ホロー陰極内の電位分布と電子静電閉じ込め効果
　3.2 リング状ホロー電極による高密度高周波プラズマの生成とそのプラズマの生成条件
　3.3 ホロー溝電極を用いた酸素高周波プラズマのPIC-MCCMシミュレーション
4.ホロー電極を用いた酸素高周波プラズマによるレジスト剥離実験
　4.1 実験装置及び実験条件
　4.2 レジスト剥離深さと酸素ガス圧力との関係

第8節　レジスト除去技術−湿潤オゾン装置を用いたレジスト除去−
1.一般的なレジスト除去技術
　1.1 薬液方式
　1.2 アッシング方式
2.湿潤オゾンを用いた環境にやさしいレジスト除去技術
　2.1 オゾン水と湿潤オゾンとの違い
　2.2 実験装置の構成および実験条件
　2.3 結果と考察

第9節　レジスト除去技術−イオンビーム照射レジストに対する湿潤オゾンによる除去-
1.イオン注入量を変えたレジストの湿潤オゾンによる除去性の実験方法
　1.1イオン注入レジスト
　1.2.イオン注入レジストの湿潤オゾンによる除去
　1.3 微小押し込み硬さ試験によるレジストの塑性変形硬さ測定
　1.4 高濃度湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去
　1.5 加速エネルギーの異なるイオン注入レジストの湿潤オゾンによる除去とレジスト変質層の評価
　1.6 イオン注入PVPの湿潤オゾンによる除去
　　1.6.1イオン注入PVP
　　1.6.2 SIMSによるイオン注入PVP変質層の膜厚測定
　　1.6.3 FT-IRによるイオン注入PVPの分光学的評価
2.注入イオン種及びイオン注入量の異なるレジストの除去の結果
3.高濃度湿潤オゾンによるイオン注入レジストの除去
4.加速エネルギーの異なるイオン注入レジストの湿潤オゾンによる除去
5.イオン注入されたPVPの湿潤オゾンによる除去
6.SIMSによるイオン注入PVP変質層の膜厚測定
7.FT-IRによるイオン注入PVPの分光学的評価

第10節　レジスト除去技術−水素ラジカル装置を用いたレジスト除去−
1.実験
　1.1 水素ラジカル照射条件
　1.2 評価したPMMA系ポリマー
2.結果と考察
　2.1 除去速度に影響するビニル型ポリマーの性質
　2.2 除去速度に影響するベンゼン環の有無

第11節　レジスト除去技術−酸素マイクロバブル水による芳香族分解-
1.実験方法
　1.1 MBの発生方式
　1.2 酸素MB水による有機物処理
　　1.2.1 メチレンブルーの処理方法
　　1.2.2 サリチル酸の処理方法
2.メチレンブルーを用いたヒドロキシラジカルの検知結果
3.酸素MB水によるサリチル酸分解結果
4.酸素MB水処理によるサリチル酸の化学構造変化

第1節　プリント基板製造におけるプラズマ表面処理
1.プリント基板製造における表面処理の要求事項
2.Openair-Plasma?による大気圧プラズマ表面処理技術の原理と特長
3.REDOX?ツールによる金属酸化還元技術
4.PlasmaPlus?プラズマナノコーティング技術
5.HydroPlasma?技術による高精度洗浄
6.プリント基板製造やその他プラズマ処理の適用事例

第2節　光電子制御プラズマイオン源によるCu基板表面平坦化
1.PAPイオン源の動作原理と特徴
2.PAPイオン源の構造
3.PAPイオン源の放電特性とイオンエネルギー
4.Cu(500 nm)/Ti(100 nm)/SiM基板の表面平坦化

第3節　プラズマを利用した洗浄技術とその応用
1.プラズマ洗浄技術の基礎
　1.1 プラズマ生成の基本原理
　1.2 プラズマによる洗浄メカニズム
　1.3 プラズマ洗浄プロセス設計の考え方
2.プラズマ洗浄装置の方式と特徴
　2.1 真空プラズマ洗浄装置
　2.2 大気圧プラズマ洗浄装置
　2.3 真空プラズマと大気圧プラズマの使い分け
3.プラズマ洗浄プロセスの実装と適用設計
　3.1 洗浄対象と要求品質の整理
　3.2 方式選定（真空プラズマ／大気圧プラズマ）
　3.3 条件設計（ガス種・電力・圧力・時間）の基本
　3.4 工程導入時の留意点（運用・安全・周辺設備）
4.半導体プロセスへの適用事例
　4.1 フォトリソグラフィ工程におけるデスカム処理
　4.2 ビア形成後のデスミア処理
　4.3 半導体パッケージおよび周辺プロセスへの展開
5.材料別洗浄・表面改質への応用
　5.1 フッ素系材料の表面洗浄および表面改質
　5.2 エンジニアリングプラスチック材料の加工後洗浄
　5.3 材料特性に応じたプロセス設計の留意点
6.プラズマ洗浄プロセスの制御・計測・モニタリング
　6.1 プラズマ洗浄プロセスにおける制御の考え方
　6.2 プロセスばらつきと再現性確保
　6.3 プラズマ洗浄における計測技術
　6.4 モニタリング技術と今後の展望