■GaN on GaN LEDの研究動向,将来像
山口大学 横川 俊哉
1.GaN on GaNによる転位密度の低減
2.ミスフィット転位のデバイスへの影響
3.GaN on GaN LEDにおける導電性GaN基板の利点
4.GaN on GaNのInGaN歪量子井戸LDにおける熱の影響
■LEDの高効率化,低コスト化に求められるGaN基板 −その作成事例と今後の課題−
大阪大学 森 勇介
1.Naフラックス法によるGaN結晶育成技術
1.1 NaフラックスLPE法によるGaN結晶育成技術
1.2 ポイントシード上のGaN結晶育成技術
■LED用シリコーン封止材と屈折率が明るさに与える影響
Dow Corning 伊藤 真樹
1.シリコーンとその特性
2.シリコーンのLED封止材への応用
■LEDの特性向上のための量子ドットの作製と応用
メルク(株) 長谷川 雅樹
1.量子ドットとは
2.半導体自己組織化量子ドット
2.1 格子定数の差による自己組織化を用いた作製方法
2.2 タンパク質の自己組織化構造をテンプレートに使った作製方法
2.3 応用
3.コロイド量子ドット
3.1 構造
3.2 作製方法
3.3 バンドギャップの制御方法
3.4 応用
■LEDの光取出し効率を高める モスアイ加工サファイア基板
エルシード(株) 大矢 昌輝
1.モスアイ加工サファイア基板 (MPSS)
の特徴
2.MPSS作製方法
3.MPSSによる光取出し効率向上
3.1 シミュレーション結果
3.2 LED試作結果
■将来,LEDにはどんな蛍光体が必要になるのか? −要求特性と開発動向−
新潟大学 戸田 健司
1. LED用蛍光体において用いられる発光イオンと実用化されている蛍光体
2.最近開発された蛍光体および新しいコンセプト
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