【講座概要】
ワイドバンドギャップ半導体はパワーデバイス用材料として注目を浴びています。しかし、結晶内部に欠陥が多く残存しているため、その検出や評価は必須となります。本講座では転位を主たる対象として、欠陥検出の考え方および各種欠陥評価技術の紹介をした上で結晶欠陥の非破壊3次元分布評価技術として多光子励起顕微鏡、X線トポグラフィー、電子線誘起電流法を取り上げそれぞれの測定原理とその観察事例をご紹介します。新しい3次元非破壊評価法についても触れる予定です。
【受講対象】
結晶開発、結晶評価、デバイス評価等に従事する方
【受講後、習得できること】
結晶欠陥評価に関して目的に応じて適切な評価法を選択できる様になることを目的とする
1.欠陥評価法について
1.1 背景
1.2 欠陥検出方法の分類
1.3 破壊検出法
1.4 2次元非破壊検出法
2.多光子励起顕微鏡
2.1 歴史
2.2 測定原理
2.3 SiC結晶中のマイクロパイプや積層欠陥の3次元非破壊評価事例
2.4 GaN結晶中の転位の3次元非破壊評価事例
3.X線トポグラフィー
3.1 測定原理
3.2 AlN結晶中の転位の非破壊評価事例
3.3 Ga2O3結晶中の転位の非破壊評価事例
4.電子線誘起電流法
4.1 測定原理
4.2 SiCエピ膜中の転位の非破壊評価事例
5.新しい3次元非破壊評価法
【質疑応答】
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