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【10:30-12:00】
１．先端半導体パッケージ向けTSV、TGVの開発動向と製造プロセスの課題
●講師 MirasoLab 代表 工学博士 竹田 諭司 氏
【略歴】
旭硝子株式会社入社 (現AGC). 中央研究所にて複数の新商品・新技術開発に従事. 2002年より米国留学、新材料・新プロセス開発に従事.
2007年よりエレクトロニクス＆エネルギー事業部門の新規事業プロジェクトリーダー, 複数の新ビジネスの企画・立ち上げ・事業化に従事.
2017年9月旭硝子を退職.
同年10月MirasoLab (ミラソ・ラボ) 創立, 代表就任
【その他役職兼任歴】
日本セラミックス協会 ガラス部会役員, International Commission on
Glass, Technical Committee 19, 国立研究開発法人 物質・材料研究機構コーディネータ,
東工大横浜ベンチャープラザ インキュベーションマネージャ, 企業顧問/参与など
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【習得できる知識】
・半導体市場の動向
・半導体パッケージの技術の動向
・ガラスの特徴
・ガラスインターポーザの特徴
・ガラス微細加工技術
・シリコン・ガラス・有機インターポーザのメリット・デメリット
・３次元実装関連材料
【講座の趣旨】
半導体市場は年々拡大しており、2023年実績は〜70兆円、2030年には100兆円に迫る勢いで成長を続けている。半導体の更なる高性能化・小型化には半導体素子の微細化が必須であるが、電気的課題・プロセス複雑化・高コスト化により更なる微細化は限界に近づきつつあると言われている。当該課題に対し、ロジックやメモリなど機能の異なる複数チップを1つの基板上に高密度実装し、スケーリングを保ちつつ高密度化・高性能化・低コスト化を実現する現実的な方法として2.x/3Ｄパッケージング技術が注目されており、そのキーコンポーネントとしてチップと基板を電気的に接続するインターポーザへの関心が高まっている。インターポーザ材料としては、シリコン・ガラス・樹脂があり、バンプの狭ピッチ化,
配線の微細化等、多様化するパッケージ構造へ対応すべく精力的な開発が関連企業・研究機関で進められている。そして、このインターポーザが今後の先端半導体パッケージ高性能化において重要な役割を果たすと考えられている。本講演では、従来のシリコンインターポーザに対し、高速信号の伝送特性に優れ、かつ、低コスト化が期待されるガラス＆樹脂インターポーザについて比較解説するとともに、インターポーザ製造に関わる要素技術
(穴あけ加工, メッキ等) についてガラスインターポーザを事例に述べる。また、3次元実装関連材料の動向についても触れる。
１．市場環境
1.1 半導体市場の動向
1.2 半導体パッケージ技術の動向
２．ガラスインターポーザ
2.1 ガラス物性
2.2 ガラス微細加工技術
2.3 Ｓｉ・ガラス・有機インターポーザのメリット・デメリット
2.4 ガラスインターポーザ製造要素技術 (穴あけ加工など)
３．３次元実装材料の動向
４．まとめ
【質疑応答】
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【習得できる知識】
・Advanced Packaging技術における表面処理（硫酸銅めっき）に関する知識
・電気化学的に硫酸銅めっきプロセスの違いにおけるTSVおよびTGVの充填性の比較を解説する。
【講座の趣旨】
近年、人工知能（AI）や高機能モバイル端末の普及により、より高い計算性能や多種多様な機能を統合した高機能デバイスが求められている。これらを実現するために日々、半導体技術の微細化技術は「ムーアの法則」にのっとり発展をしてきた。しかしながら昨今では、半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced
Packaging（アドバンスドパッケージング）”と呼ばれる技術が注目されている。
本講演では、“Advanced Packaging”技術の中の2.XDおよび3D構造に必要な”TSV”および”TGV”用の硫酸銅めっきに着目し解説する。
１．Advanced Packaging技術の必要性
1.1 半導体の性能UPが必須
1.2 微細化の限界か
1.3 チップレット化に伴いめっきへの要求性能UP
1.4 チップレット化によりTSV、RDL、Cu Pillarの需要が増加
２．TSV用硫酸銅めっき「TIPHARES TVP」
2.1 求められるめっき性能
2.2 従来浴よりも短時間で充填可能
2.3 ボイド発生のメカニズム
2.4 さらなる短時間化
３．TGV用硫酸銅めっき
3.1 インターポーザー向けとコア向け
3.2 TGV用硫酸銅めっき
3.3 TSV用とTGV用と硫酸銅めっきの比較
3.4 課題
【質疑応答】
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【習得できる知識】
・ガラス基板分断技術の種類と特徴
・スクライブ・ブレーク法を用いたガラス分断について
・スクライブ法で使用する道具（ツール）の種類と特徴
・ガラス基板分断時に発生する現象
・ツールスクライブによるガラス基板分断メカニズム
・レーザーを用いたガラス分断の種類と特徴
・熱応力を利用したガラス基板分断メカニズム
【講座の趣旨】
ガラスをはじめとする脆性材料基板の分断手法として、高速かつ乾式での加工が可能な「スクライブ＋ブレイク」法は、液晶ディスプレイの分断工程では広く採用され実績を重ねており、最近では、半導体基板の分断手法としても注目されています。
本講では、「スクライブ+ブレイク」手法を中心に、ガラス基板の切断技術について解説します。
１．ガラスの分断方法
1.1 ガラスの分断方法の概要
２．ツールを用いたスクライブ・ブレーク法によるガラス分断
2.1 スクライビングで使用する道具（ツール）の種類と特徴
2.2 スクライブで発生する現象
2.3 スクライブによるガラス基板分断メカニズム
2.4 その他の基板分断例
３．レーザーを用いたガラス分断
3.1 レーザーを用いたガラス基板分断の種類と特徴
3.2 熱応力を利用したガラス基板分断メカニズム
４．まとめ
【質疑応答】
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