EUVリソグラフィの技術動向とレジスト材料の開発 Live配信セミナー
        
次世代パワーデバイスに向けた 高耐熱・高放熱材料の開発と熱対策
先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
 
<セミナー No.510424>
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★ メタルレジストの特徴、課題と動向を詳解! 高感度、高解像を達成するには?

EUVリソグラフィの技術動向とレジスト材料の開発


■ 講師
1. 関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士(工学) 工藤 宏人 氏
2. 東京農工大学 大学院工学研究院応用化学部門 准教授 博士(工学) 兼橋 真二 氏
3. (国研)量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所 先端機能材料研究部 プロジェクトリーダー 博士(工学) 山本 洋揮 氏
■ 開催要領
日 時

2025年10月10日(金) 10:30〜16:15

会 場 Zoomを利用したLive配信 ※会場での講義は行いません
Live配信セミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料

1名につき60,500円(消費税込み・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税込み)〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
         詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

■ プログラム

<10:30〜12:00>

1.EUVリソグラフィの基礎とレジスト材料の開発例

関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 博士(工学) 工藤 宏人 氏
 

【講演概要】
フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。2017年より極端紫外線(EUV)露光システムが実用化されている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の開発が必要とされ続けている。本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する



1.EUV用レジストシステム
 1.1 ムーアの法則とEUV用レジストシステム
 1.2 EUVレジストシステムの開発の動向
 1.3 EUV用レジスト材料の開発の必要性について
 1.4 EUV用レジスト材料に求められる特性

2.EUV用レジスト材料
 2.1 ポジ型EUV用レジスト材料(化学増幅型EUV用レジスト材料)
 2.2 ネガ型EUV用レジスト材料(非化学増幅型EUV用レジスト材料)
 2.3 メタルEUV用レジスト材料

3.EUV用レジスト材料の開発例
 3.1 高感度型EUVレジスト材料
 3.2 EUV用レジスト材料の今後の課題


【質疑応答】


<13:00〜14:30>

2.EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術

リソテックジャパン(株) ナノサイエンス研究所 所長 博士(工学) 関口 淳 氏

 
 

【講演概要】
●EUVリソグラフィーが実用化されてデバイス製造へも適用が進んでいますが、さらなる高解像性の要求からハイパーNA(NA0.55)のEUVスキャナーの導入が検討されています。
●ハイパーNAでは、DOFの観点、および解像性から、従来のCARレジストに代わってメタルレジストが使われると言われています。
●本講座では、EUVレジストの概要および特にEUVメタルレジストの評価方法について紹介します。

【受講対象】
EUV関連の研究者、技術者。これからEUV材料の研究を始めたい研究者・技術者を対象としています

【受講後、習得できること】
EUVレジストの概要とその評価方法に関する基礎知識



1.EUVLの概要
 1.1 EUVLの現状
 1.2 EUVメタルレジストの概要

2.EUVレジストの評価技術 (主にEUVメタルレジスト)
 2.1 EUV透過率測定
 2.2 EUV屈折率nk測定
 2.3 EUV 2光束干渉露光
 2.4 リガンド脱離反応の観察 (FT-IR法)
 2.5 アウトガス分析 (Q-Mass法)
 2.6 Depth profileの観察 (GCIB-TOFSIMS法)

3.EUVフォトレジストと電子線レジストの感度の関係

【質疑応答】


<14:45〜16:15>

3.EUVLレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジストの性能評価

(国研)量子科学技術研究開発機構 高崎量子技術基盤研究所 先端機能材料研究部 プロジェクトリーダー(上席研究員) 博士(工学) 山本 洋揮 氏

 

【講演概要】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、極端紫外光(EUV)リソグラフィが実現された。本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価およびレジスト性能への金属コアおよび有機配位子の効果に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。


1.はじめに
 1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
 1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
 1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム


2.EUV/EBレジストの反応機構
 2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
 2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
 2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
 2.4 EUV/EB化学増幅型レジストの問題点
 2.5 EUV/EBレジストの設計指針


3.メタルレジスト材料の性能評価
 3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
 3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
 3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
 3.4 メタルレジスト材料の性能評価
 3.5 レジスト性能への金属コアと有機配位子への効果


4.今後の課題


【質疑応答】