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【講演ポイント】
パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。
これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望、さらに、日本のパワーデバイス復活の可能性について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。
【プログラム】
１．パワーデバイスの用途と電力変換
２．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
３．Siパワーデバイス高性能化の歴史と最新構造
４．SiCパワーデバイスの優位性と技術課題
５．GaNパワーデバイスの優位性と技術課題
６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と技術課題
７．パワーデバイス業界における日本の地位と将来展望
８．日本のパワーデバイスの復活に向けて
【質疑応答】
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