早稲田大学　理工学術院　情報生産システム研究センター　招聘研究員、名誉教授　工学博士　巽 宏平 氏

２０２６年２月４日（水）　１０：００〜１７：００

1名につき６６，０００円（消費税込み・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき６０，５００円（税込み）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
　　　　　　　　 詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

＜１０：００〜１１：３０＞

１．パワーデバイスの低温焼結接合に向けた銅ナノ粒子の開発

【講演概要】
本講座では，まず，如何にすれば機能性無機ナノ粒子をサイズ・形態制御しつつ精密に合成できるか，その方法やコツを理解していただきます。ついで，その具体的な手法について紹介することで，無機ナノ粒子の液相合成法や解析法を学んでいただきます。さらに無機ナノ粒子の液相合成法を，低温焼結性を有する銅ナノ粒子の合成法へ適用した例につき紹介します。得られた銅ナノインクは，配線材料およびダイアタッチ材料として優れた性質を示します。一方で，無機ナノインクの現在までの進展を紹介することで，常圧でのデバイス製造に向けたナノインクの実力および可能性について学んでいただきます。


1.粒子の合成・設計法と特性の制御
　1.1 粒子の合成法
　1.2 粒子・ナノ粒子のサイズ・形態制御のコツ
　1.3 水系による粒子の合成及びサイズ・形態制御
　1.4 非水系における粒子の合成及びサイズ・形態制御

2.低温焼結性を有する銅ナノ粒子の液相合成と特性評価
　2.1 水系における銅ナノ粒子の合成
　2.2 水溶性錯体を用いた銅ナノ粒子の液相合成
　2.3 水溶性錯体から得られた低温焼結性を有する銅ナノ粒子の特性評価
　2.4 銅ナノ粒子への耐酸化性の付与
　2.5 低温焼結性を有する銅ナノ粒子から調製した銅ナノインクの配線材料としての特性
　2.6 低温焼結性を有する銅ナノ粒子から調製した銅ナノインクのダイアタッチ材料としての特性

3.機能性無機ナノ粒子インクの将来展望

【質疑応答】

＜１２：１０〜１３：４０＞

２．半導体との低温金属粒子焼結接合技術の開発

大阪大学　フレキシブル3D実装協働研究所　特任教授　博士(工学)　チン テントウ 氏

2.高温向けに求める実装技術
　2.1 鉛フリーはんだと固液相接合
　2.2 金属粒子焼結接合
　2.3 低温固相接合

3.銀粒子焼結接合技術と異種材界面の接合
　3.1 銀粒子焼結接合技術の特徴
　3.2 新型ミクロンサイズ銀粒子の低温焼結
　3.3 異種材界面接合とメカニズム

4.銅粒子焼結接合技術と異種材界面の接合
　4.1 銅粒子焼結接合技術の特徴
　4.2 異種材界面接合と界面信頼性

5.新型銀の複合ペースト焼結接合
　5.1 新型銀-シリコン粒子複合ペースト構造信頼性
　5.2 新型銀-アルミ粒子複合ペースト構造信頼性

＜１３：５０〜１５：２０＞

３．低温・無加圧焼結銀接合に適用可能な焼結性銀ナノ粒子の開発

(株)大阪ソーダ　事業開発本部　イノベーションセンター　友利 大介 氏

【講演概要】
　パワー半導体デバイスの実装に用いられる焼結銀接合材に関して、構成成分の一つである銀ナノ粒子について述べる。あわせて焼結銀接合の用途別に銀ナノ粒子の開発事例を紹介する。

【受講後、習得できること】
パワー半導体デバイスの実装に用いられる焼結銀接合について
焼結銀接合材の特性を決定する上で鍵となる銀ナノ粒子について

1.焼結銀接合について
　1.1 焼結銀接合材とは
　1.2 接合方法とその特徴について

2.銀ナノ粒子について　
　2.1 銀ナノ粒子とは
　2.2 粒子設計と最密充填
　2.3 銀ナノ粒子の合成について
　
3.各種プロセスに合わせた銀ナノ粒子の開発事例
　3.1 無加圧接合�@（フルシンタリング）
　3.2 無加圧接合�A（セミシンタリング）
　3.3 無加圧接合�B（フルシンタリングCu基板接合用）

【質疑応答】

＜１５：３０〜１７：００＞

４．Niを接続材料とする新たな高温耐熱実装技術

早稲田大学　理工学術院　情報生産システム研究センター　招聘研究員、名誉教授　工学博士　巽 宏平 氏

【講演概要】
　パワー半導体は自動車をはじめエネルギー変換機器の高効率化、小型化、軽量化の要求が高まる中で、Siに代わるSiC半導体の実用化が急速に進展している。SiC半導体は高変換効率化に加えて、高耐熱性に優れているが、実装技術の高耐熱化の対応が十分ではなく、その特徴を十分に活かせていない。ここでは、はんだ材料に代わる新たな高耐熱接続技術を紹介する。

【受講後、習得できること】
半導体チップインターコネクション技術の基礎と応用。

1.半導体のチップインターコネクションとは。

2.パワー半導体の実装技術と信頼性。

3.高耐熱化を実現するSiCパワー半導体の実装技術。
　3.1 導電接続技術の高耐熱化とは
　3.2 ワイヤボンディングの高耐熱化
　3.3 ダイボンディングの高耐熱化（TLP,ﾅﾉ粒子焼結接合他）
　3.4 SiC半導体への適用
　3.5 高耐熱化と高耐熱応力化

4.Niナノ粒子を用いた新たな半導体のインターコネクション技術。
　4.1 Niナノ粒子による接続技術
　4.2 Alマイクロ粒子/ Niナノ粒子（MANN）ペーストによる接続技術
　4.3 MANN接合材による実装技術の信頼性

5.Niメッキを用いた新たな接続技術
　5.1 Niマイクロメッキ接合（NMPB）とは
　5.2 NMPBによるパワーモジュールの実装
　5.3 熱応力緩和型NMPB技術

6.まとめと参考文献

【質疑応答】