大阪公立大学　大学院工学研究科　電子物理工学分野　教授　博士(工学)　東脇 正高 氏

【ご専門】半導体デバイス、薄膜結晶成長

【ご略歴】
　1998年3月　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
　1998年4月　日本学術振興会 博士特別研究員
　2000年4月　郵政省通信総合研究所 研究員［2004年4月（独）情報通信研究機構に改組］
　2004年10月　情報通信研究機構 主任研究員
　2007年9月　Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara,　Project Scientist（情報通信研究機構より転籍出向）
　2010年4月　情報通信研究機構 主任研究員（転籍出向より復帰）
　2012年10月　情報通信研究機構 未来ICT研究所　総括主任研究員
　2013年12月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括 兼 グリーンICTデバイス先端開発センター長
　2016年4月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター長
　2021年4月　情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター グリーンICTデバイス研究室長（2022年4月からは兼務）
　2022年4月　大阪公立大学 大学院工学研究科 電子物理工学分野　教授（本務）

２０２６年６月２３日（火)　１３：００〜１７：００

1名につき４９，５００円（消費税込・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４４，０００円（税込）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
　　　　　　　　 詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

※定員になり次第、お申込みは締切となります。

【講演ポイント】
　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

【習得できる知識】
　・Ga2O3物性の基礎知識
　・バルク融液成長、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

【プログラム】
１．はじめに
　1-1　Ga2O3の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　1-2　将来的なGa2O3デバイスの用途

２．Ga2O3バルク融液成長技術

３．Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
　3-1　MBE成長
　3-2　HVPE成長
　3-3　MOCVD成長

４．Ga2O3トランジスタ開発
　4-1　横型MESFET
　4-2　横型DモードMOSFET
　4-3　横型フィールドプレートMOSFET
　4-4　縦型DモードMOSFET
　4-5　縦型EモードMOSFET
　4-6　国内外のGa2O3 FET開発動向

５．Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
　5-1　HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
　5-2　縦型フィールドプレートSBD
　5-3　縦型ガードリングSBD
　5-4　国内外のGa2O3 SBD開発動向

６．まとめ、今後の課題

【質疑応答】