シリコン／パワー半導体へのCMP技術の適用

■　講師

九州工業大学　大学院情報工学研究院　知的システム工学研究系　教授　博士（材料科学）　鈴木恵友氏

■　開催要領

日　時	：	【アーカイブ（録画）配信】２０２６年７月２８日まで受付（視聴期間：７月２８日～８月７日まで） ※２０２６年７月１６日（木）　１２：３０～１６：３０の録画配信です
会　場	：	Zoomを利用した Live配信またはアーカイブ配信　※会場での講義は行いませんセミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料	：	1名につき４９,５００円（消費税込、資料付）〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につき４４,０００円〕〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

■　プログラム

【講座の趣旨】
　本セミナーではこれまでCMPにおける研究開発で経験した内容や最新の技術動向についも紹介する。CMP技術を習得するには、装置構成、研磨材、ポリシングパッドなどの他に、ウェハ製造プロセスや半導体素子の製造プロセスに関する内容も理解する必要がある。ここではCMPの研磨技術のほかに、CMPがどのようにデバイスに適用されているのか、基礎的な内容について解説する。

１．CMP技術の概要

　1.1　CMPの適用例～半導体プロセスでCMPの頻度が増えたのは何故か～
　1.2　CMPの除去メカニズム
　1.3　CMP装置のコンセプト
　1.4　洗浄プロセスの現状と課題

２．パワー半導体とシリコン半導体におけるCMP技術の違い

　2.1　装置構成
　2.2　工程管理とモニタリング手法の概念
　2.3　スラリーについて
　2.4　ポリシングパッドの役割

３．パワー半導体におけるCMP技術について

　3.1　基板製造プロセス概要
　3.2　基板研磨法
　3.3　高効率研磨微粒子による研究事例

４．シリコン半導のCMP技術について

　4.1　フロントエンドCMPの適用例
　4.2　エンドポイントの考え方
　4.3　パターン研磨における課題

５．半導体技術とCMPの将来展望について

【質疑応答】