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【講座概要】
検査・解析により半導体デバイスの「出来栄え」を評価することは、デバイス開発、プロセス開発、製造コスト、品質保証等のあらゆる観点で不可欠なプロセスです。現代の先端ロジック・メモリ半導体集積回路を構成するデバイスは、サイズが小さくなっているのに加えて三次元化が進んでいます。半導体デバイスの世代が進むにつれて、微細かつ複雑な構造を持つデバイスをいかに検査するかという課題も顕在化してきています。
本講座では、半導体プロセスにおける検査・解析技術の全体像と基礎原理を理解し、半導体集積回路のトレンドを踏まえどのような技術が開発されているかを理解することを目標とします。特に、光と電子を組み合わせた新しい解析技術について詳しく解説を行います。半導体デバイス・プロセス開発や製造で検査・解析に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
【受講後習得できること】
・光学検査装置や電子顕微鏡、プローブ顕微鏡等の基本的な原理や特徴
・半導体プロセスで必要とされる検査技術の種類・特徴
・半導体デバイス・プロセスのトレンドと最新の検査・解析技術の動向、将来展望
1.半導体プロセスと検査
1.1 半導体集積回路のロードマップ
1.2 半導体プロセスの基礎
1.3 半導体プロセス中の検査の種類と用途
2.光学検査の基礎
2.1 光学顕微鏡
2.2 レーザー顕微鏡
2.3 白色干渉計
2.4 ウェハ欠陥検査装置
2.5 マスク検査装置
3.電子線検査の基礎
3.1 走査型電子顕微鏡（SEM）
3.2 透過型電子顕微鏡（TEM）
3.3 走査透過型電子顕微鏡（STEM）
3.4 電子エネルギー損失分光（EELS）
4.走査プローブ検査の基礎
4.1 原子間力顕微鏡（AFM）
4.2 走査型静電容量顕微鏡（SCM）
4.3 走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）
4.4 ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）
5.最近の検査・解析技術の動向
5.1 半導体製造現場から高まる要求と技術課題
5.2 リソグラフィ検査―レジストの形状/化学解析
5.3 ウェハ欠陥検査―SiCウェハの非破壊検査
5.4 マスク欠陥検査―EUVマスクブランクスの位相欠陥検出
5.5 先端プロセス・デバイス検査―GAAトランジスタ向けリセスプロセス解析
6.将来展望とまとめ
【質疑応答】
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