２０２６年９月１０日（木）　１０：３０〜１６：１５

1名につき６０，５００円（消費税込み・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき５５，０００円（税込み）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
　　　　　　　　 詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

＜１０：３０〜１２：００＞

１．半導体後工程プロセスの原理、要求性能、装置・材料技術

1.半導体パッケージの目的
　1.1 前工程、後工程、実装工程の関係
　1.2 半導体パッケージの目的

2.半導体パッケージの形態変化と多様化の流れ
　2.1 3つのキーワード
　2.2 リードフレームを用いるパッケージ
　2.3 パッケージ基板を用いるパッケージ
　2.4 WLP、FOWLP
　2.5 SIP、そして先端パッケージへ

3.基本工程の解説
　3.1 テスト工程、裏面研削、ダイシング
　3.2 ダイボンディング
　3.3 ワイヤボンディング、バンプ接合、ハイブリッドボンディング
　3.4 モールディング
　3.5 パッケージ基板、インターポーザ

4.まとめ

【質疑応答】

＜１３：００〜１４：３０＞

２．先端半導体パッケージングの最新動向と基板への要求特性

大阪大学　フレキシブル3D(F3D)実装協働研究所　特任研究員　吉田 浩芳 氏

【講演概要】
本講座では、生成AIおよびHPCの急速な普及を背景に進化を続ける先端半導体パッケージング技術について、デバイス設計・実装技術・基板技術の関係性を俯瞰的に解説する。特に、チップレット化やHBM実装の進展により、基板に求められる性能や設計思想が大きく変化している点に着目し、最新技術動向と今後の課題を整理する。あわせて、国際標準化や環境対応の視点も含め、基板・材料・実装に携わる技術者が今後取るべき方向性について考察する。

【受講後、習得できること】
・AI/HPC向け先端半導体パッケージングの全体像
・チップレット・HBM実装の技術的背景と課題
・先端パッケージにおいて基板が果たす役割
・今後の技術動向と基板産業への影響


1.AI／HPC市場の拡大と半導体パッケージングの役割変化

2.先端ロジック微細化とパッケージング技術の関係

3.AI/HPC向けデバイスにおけるチップレット化の背景

4.2.5D/3D実装技術の最新動向

5.HBMを中心とした高帯域メモリ実装技術

6.先端パッケージにおける電力・信号・熱の同時最適化

7.高消費電力化に対応する放熱・熱設計技術

8.AI/HPC向け基板に求められる基本性能要件

9.有機基板材料の進化と技術トレンド

10.製造プロセス視点での基板技術の課題

11.パッケージ／基板協調設計（Co-design）の重要性

12.信頼性・品質評価における新たな要求

13.環境規制・サステナビリティとパッケージング技術

14.国際標準化動向と産業競争力

15.今後の技術ロードマップと基板産業への示唆

【質疑応答】

＜１４：４５〜１６：１５＞

３．半導体製造プロセス向け耐熱UV硬化型ダイシングテープの開発

リンテック(株)　製品研究部　電子材料研究室　室長　西田 卓生 氏

【講演概要】
本講座では、ダイシングテープの基本設計について、材料の観点から紫外線硬化型粘着剤を中心に解説する。さらに、プロービングプロセスに着目し、粘着剤における課題とその解決策について説明する。具体的には、紫外線照射前に 150℃で8時間 という厳しい加熱条件を経た後でも、紫外線照射によって粘着力を制御できる耐熱紫外線硬化型ダイシングテープの材料設計と特性評価結果を紹介する。

【受講対象】
ダイシングテープの基礎や基本的な性能について知りたい方、耐熱ダイシングテープに求められている各性能の動向について知りたい方


1.粘接着材料概論
　1.1 代表的な粘着剤主成分材料の分子骨格
　1.2 代表的な粘着剤主成分材料の特徴
　1.3 ポリアクリル酸エステルの設計
　1.4 アクリル酸共重合ポリマーの粘弾性測定結果

2.半導体パッケージと製造工程について
　2.1 半導体パッケージとは・・・
　2.2 半導体パッケージの製造工程
　　2.2.1 ウェハ研削工程
　　2.2.2 ウェハ個片化工程
　　2.2.3 パッケージ製造工程

3.ダイシングテープの基礎知識
　3.1 ダイシングテープとは・・・
　3.2 ダイシングテープに要求される性能
　3.3 粘着力の制御
　3.4 粘着剤残渣の抑制
　3.5 チッピングの抑制
　3.6 切削片の抑制
　3.7 易ピックアップ性

4.耐熱紫外線硬化型ダイシングテープの紹介
　4.1 本テープの必要性と利点
　4.2 既存品の現状と課題
　4.3 開発方針
　　4.3.1 光開始剤の選定
　　4.3.2 ラジカル捕捉剤の選定
4.4 プロセス評価

【質疑応答】