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＜１０：４５〜１２：００＞
１．TSV・TGVを有する実装基板における電解銅めっき技術の基礎と技術課題
特定非営利活動法人サーキットネットワーク（NPO C-NET） 事務局長 博士（工学） 大久保
利一 氏 |
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【講演概要】
半導体実装基板の製造において、銅めっきは非常に重要なプロセスである。最先端の実装基板でも、TSV・TGV形成を含め回路形成に銅めっき技術が多用されている。半導体の進化に伴う実装基板の要求特性は変化し、それにより新たな技術課題が生まれ、めっき技術もレベルアップが望まれる。そこで、それらを解決するための技術革新のベースとなる銅めっきの基礎概念とメカニズムに重点をおいて解説する。また、そのメカニズムを理解するための「エレクトロニクスに従事する技術者に向けた」基礎的な電気化学についても解説する。
【受講対象】
エレクトロニクスに従事する技術者 特に銅めっきで半導体、半導体実装基板の回路形成を行う技術者
【習得できる知識】
・各種先端半導体実装基板の回路形成のプロセスはどのようなもので、そこに電解銅めっきがどのように使われているか。
・めっきは次世代基板の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つが、さらに適合性を高めるためにどうするか。
・電解銅めっきに用いられる添加剤の作用とそのメカニズムの裏付けとなる電気化学の基礎
1.「めっき技術」の展望
2.めっきを理解するための基礎的電気化学
2.1 基本はオームの法則
2.2 めっきに適用する電気化学手法
3.回路形成・実装のプロセス概要
3.1 最近の半導体実装基板
3.1.1 シリコンインターポーザ
3.1.2 CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)
3.1.3 ブリッジインターポーザ
3.1.4 ガラス基板
3.2 回路形成のプロセス
3.2.1 スルーホールめっき
3.2.2 セミアディティブプロセス
3.2.3 ダマシンプロセス
3.2.4 ビアフィリング
3.2.5 ハイブリッドボンディング
4.電解銅めっき技術と添加剤の作用
4.1 電解銅めっきの構成と添加剤
4.2 添加剤の作用メカニズム
4.3 添加剤の管理手法
5.電流密度分布と膜厚均一化
5.1 電流密度分布の理論
5.2 膜厚均一化の手法
6.まとめ AIもめっきがなければ動かない
【質疑応答】
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＜１３：００〜１３：４５＞
２．ガラスコア・インターポーザ向け湿式銅めっきプロセス
アトテックジャパン(株) エレクトロニクス事業部 事業部長 藤原 俊弥 氏
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【講演概要】
ガラスコアやガラスインターポーザーの市場における需要が高まりつつある中、製品確立の重要な要素技術の一つである、シード層?TGVフィリングプロセスの工法例をご紹介します。他工法との比較もありますので、プロセスご検討の一助になれば幸いです。
【習得できる知識】
・ガラスの密着を発現させる工法の一例、及び実際の評価結果例
・TGVフィリングの工法と最新状況について
1.開発の背景
2.密着増強プロセス
3.TGVフィリングプロセス
【質疑応答】
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＜１４：００〜１５：１５＞
３．TSVウエハへの無電解バリアシードめっき膜の形成と評価
(株)東設 研究開発部 主任 松井 康介 氏
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【講演概要】
TSVウエハへの無電解CoWB/Cuバリアシード膜形成技術について、その開発背景、形成プロセス、極深孔TSVへの適用事例および評価結果を中心に解説する。
【受講対象】
・半導体実装技術の研究開発担当者
・TSV・TGV技術に関わる技術者
・無電解めっき・電解めっき技術者
・バリア膜・シード膜形成プロセス担当者
【習得できる知識】
・TSV技術の概要と課題
・TSV向けバリア膜・シード膜の要求特性
・無電解めっきによるバリアシード膜形成・評価技術
・TSV配線の評価手法および評価事例
1.TSV技術の概要と課題
1.1 TSV技術の概要・プロセス
1.2 高アスペクト比化に伴う課題
2.TSV向けバリアシード膜形成技術
2.1 バリア膜・シード膜の役割
2.2 スパッタ法・無電解めっき法の各特徴
3.無電解CoWB/Cuバリアシード膜形成プロセス
3.1 前処理工程
3.2 めっき工程
4.TSV向け無電解バリアシード膜形成における課題と対策
4.1 密着性
4.2 連続膜形成
5.極深孔TSVへの適用事例
5.1 評価基板
5.2 CoWB/Cu積層膜形成
6.CoWB/Cu積層膜の評価
7.バリア性能評価
8.電気特性評価
9.今後の展望
【質疑応答】
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＜１５：３０〜１６：４５＞
４．次世代半導体パッケージ向け
難接着材へのプラズマ表面改質によるめっき前処理技術
(株)電子技研 最高技術顧問 古川 勝紀 氏
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【講演概要】
次世代半導体パッケージでは、ガラス基板が検討されているが、ガラスへの高密着銅めっき、B5G/6Gでは、低誘電樹脂への投錨効果や接着剤に用いず銅めっきや銅箔との密着性を確保する技術が確立できていない。電子技研では、減圧プラズマを用いた表面改質により基材表面に強固に結合した官能基（-NH基）を形成することにより、難接着材であるガラス・低誘電樹脂への銅めっき、および樹脂を直接接着する前処理技術を開発した。本講演では、本表面改質の原理からTGVへの高密着めっきの実例までを解説するとともに、ガラス基板に関しては、熱膨張係数差に起因するCu/ガラス基板の信頼性低下防止のための無機バッファ層を用いた取り組みを紹介する。
1.（株）電子技研の会社紹介
2.技術課題
3.プラズマを用いた表面改質による接着原理および状態評価
4.表面改質を用いた直接めっき、直接接着技術原理
5.表面改質を用いた直接めっき
5.1 難接着材（フッ素、LCP、PPE)への直接銅めっき
5.2 ガラスへの直接及びDLCバッファ層を介した銅めっき
5.3 ビア、スルーホールへの高密着直接銅めっき
6.表面改質を用いた接着剤レス直接接着技術
6.1 低誘電率樹脂と金属（Cu)、低誘電率樹脂との直接接着
6.2 直接接着の応用
6.3 コア材（PI、LCP）を用いた多層膜の直接接着
7.封止樹脂・接着剤の接着強度改善技術
7.1 接着剤の接着強度改善(Cu/エポキシ系接着剤)
7.2 異種材料の密着強度up (金、セラミックスとシリコーン接着剤の密着)
7.3 高耐熱封止樹脂の密着性改善
【質疑応答】
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