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【講演ポイント】
本講演では、CPUやメモリなどの集積回路、パワーデバイス、太陽電池が宇宙放射線環境で使用される際に直面する、代表的な3つの放射線影響について紹介する。あわせて、それぞれの現象について、放射線と物質の相互作用に基づく発生メカニズムを解説する。さらに、耐放射線性評価試験の手法、および耐性強化に向けた基本的な考え方についても学ぶ。
【習得できる知識】
・宇宙で発生する3つの放射線影響の基礎
・照射試験装置の仕様
・宇宙用半導体デバイスの耐放射線性評価技術
【プログラム】
１．はじめに
1.1 宇宙放射線環境
1.2 半導体に対する3つの放射線影響と評価指標
1.3 放射線と物質（半導体材料）の相互作用の基礎
２．放射線照射に係る施設
2.1 ガンマ線
2.2 電子線加速器
2.3 イオン加速器
３．トータルドーズ効果
3.1 試験方法
3.3 MOSデバイスにおけるトータルドーズ効果
3.4 耐性強化のアプローチ
４．はじき出し損傷効果
4.1 試験方法
4.3 太陽電池におけるはじき出し損傷効果
4.4 寿命予測及び耐性強化のアプローチ
５．シングルイベント効果
5.1 試験方法
5.2 パワーデバイスにおけるシングルイベント効果
5.3 様々なシングルイベント効果
5.4 耐性強化のアプローチ
６．まとめ
【質疑応答】
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