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【この講座で学べること】
１．CVD法とALD法の基本現象
２．成膜装置全体に起こっている現象の捉え方
３．色々な情報を用いて化学反応と流れを推定する方法
４．成膜結果の関数化表現と活用例
５．副生成物の挙動と影響
６．最適化の考え方
７．装置部材、センサーなどが晒される状態
８．装置状態の検知と維持管理の要点
【講座概要】
化学気相堆積（CVD）法と原子層堆積（ALD）法は、様々な薄膜を形成する際に広く用いられている方法です。これは、流れ、熱、反応物質の輸送に気相・表面の化学反応が絡む現象であるため、難しそうに見えます。そこで成膜装置で起きている化学反応と熱と流れの解析、その場観察、膜の分析を通して成膜機構を解析し、検証し、反応を設計した事例を紹介します。複雑に見えるプラズマ成膜の解析事例と排ガス管内堆積物から見える成膜機構も紹介します。これらは実務において、成膜装置全体で実際に生じている現象の全体像をとらえ、装置の維持・管理・最適化に繋げることができます。装置、反応とプロセスを進歩させる契機になれば幸いです。
１．序論
1.1 MOSFETの構造と動作、半導体製造工程
1.2 CVD法とALD法の原理、成膜理由、装置、事例、条件と要因、反応励起方法
1.3 微細化と成膜方法の使い分け
２．化学反応速度の基礎
2.1 化学反応の基礎と反応速度式の考え方
2.2 律速過程
３．表面反応・気相反応
3.1 表面反応・気相反応
3.2 反応の場所、膜と基板、温度環境、格子定数、熱膨張と膜質の関係
４．その場観察方法
4.1 その場観察で得られる情報の例
4.2 ガス採取場所の選択と注意
4.3 主な方法：四重極質量分析法、圧電性結晶振動子法、赤外分光法
５．膜の分析方法
5.1 膜厚・反応・膜質に関わる測定方法
5.2 Ｘ線光電子分光法、赤外分光法・ラマン分光法、二次イオン質量分析法、エネルギー分散型X線分光法
5.3 分析結果の解釈に困った時
６．反応の場を考慮した反応解析事例
6.1 流れを把握する必要性、流れの方向と膜厚の関係
6.2 CVD装置内のガス流れなど：観察例と数値計算例
6.3 ガス密度による流れの違い（観察例と計算例）
6.4 成膜最低温度決定（観察例）
6.5 装置の形とドーパント濃度分布（実測と解析）
6.6 基板回転の効果（膜厚平均化、流れの引寄せによる成膜高速化）
6.7 ALD装置内の流れと熱（数値解析例）
７．膜分析とガス分析の活用事例
7.1 排ガス分析と数値解析による成膜反応とドーピング反応の機構構築
7.2 前駆体相互作用（クロロシラン、メチルシラン、三塩化ホウ素）の解釈、反応設計と検証の例
7.3 炭化ケイ素成膜機構の例
7.4 窒化ガリウム成膜機構の例
7.5 プラズマCVDによる多元系成膜の反応機構解析例
８．副生成物から推定される反応機構
8.1 排ガス管内堆積物
8.2 クロロシランによるSiとSiCの成膜時の堆積物
９．最適化の考え方
9.1 装置内全体の反応と堆積物
9.2 副生成物から推定される成膜反応状態
9.3 装置クリーニングと装置部材の耐腐食性
9.4 諸成膜要因の効果と活用（温度、濃度、流量、律速過程、回転）
9.5 解析・モデル化の進め方（要因の発見、法則と機構の決定）
１０．まとめ
【質疑応答】
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