第１節 化合物半導体のバルクおよびエピタキシャル成長
１．シリコン上GaAs とサファイア上GaN の比較
２．GaNのバルク結晶
３．SiN をマスクとしたサファイア上GaN
４．GaNPをバッファ層としたGaN
５．波長365－375nm ＬＥＤ
第２節窒化物半導体の物性向上へ向けた最新技術
１．はじめに
２．窒化物半導体の物性的特徴
３．窒化物半導体を用いた発光デバイスの現状
４．窒化物半導体の最新技術動向
4-1 発光デバイスの高効率化技術
4-2 エピタキシャル成長技術
4-2-1 LEDの高光度化、高出力化
4-2-2 短波長発光デバイス用材料（AlN, AlGaN）
4-2-3 長波長発光デバイス用材料（InN, InGaN, InAlN）
4-3 バルク結晶成長技術
4-3-1 GaNバルク単結晶の現状と課題
4-3-2 AlN, AlGaNバルク単結晶への期待
5. まとめ
第１節 気相法による単結晶窒化アルミニウム(AlN)膜の作製と評価
１. はじめに
２. C面単結晶AlN膜
2-1 緒言
2-2 C面単結晶AlN膜の品質
2-3 単結晶AlN膜の基板としての応用 -GaN下地層として-
2-4 単結晶AlN膜の基板としての応用 -AlGaN下地層として-
３．A面単結晶AlN膜
3-1 緒言
3-2 A面単結晶AlN膜の品質
第２節 フラックス法による高品質窒化ガリウム結晶成長法
１．背景
1-1 ニーズ
1-2 バルクGaN結晶成長方法
２．フラックス法によるGaN結晶の成長メカニズム
３．フラックス法によるGaN結晶成長方法
3-1 閉管法
3-2 窒素外部導入法
４．フラックス法GaN結晶の成長モード
4-1 多核成長
4-1-1 モフォロジーの成長条件依存性
4-1-2 坩堝サイズ効果
4-1-3 結晶性
4-2 種結晶成長
4-2-1 バルク種結晶成長
4-2-2 エピタキシャル成長
５．その他
5-1 Na以外のフラックス
5-2 Na蒸気供給法
６．まとめと今後の課題
第３節サファイア単結晶の育成と応用
１． サファイア単結晶とその結晶構造
２．サファイア単結晶の特長と応用
３．サファイア単結晶の製造方法
3-1 ベルヌーイ法
3-2 チョクラルスキ（ＣＺ）法
3-3 ＥＦＧ法
3-4 熱交換法（ＨＥＭ）
3-5 キロプロス法
４．サファイア単結晶基板
4-1 サファイアの結晶性
4-2 基板表面の品質
５． おわりに
第４節 高品質GaN発光デバイス用MOVPE装置の技術動向
１． はじめに
２． 寄生反応とその問題
３． 気相反応を制御した３層流ガス導入装置
第５節 大口径InP単結晶育成法と転位密度低減技術
１．Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体結晶育成法
２．LEC法による大口径InP結晶の育成
2-1 LEC法によるInPの育成
2-2 低転位密度化と温度勾配
2-3 大口径化に伴う問題点
2-4 HW-LEC(Hot Wall LEC)法
３．VGF法による大口径InP単結晶の育成
3-1 ボート法の開発
3-2 同一口径VGF法
3-3 リネージの発生と対策
第６節 光FZ法による酸化ガリウム単結晶の育成法と応用
１．光FZ法によるβ-Ga2O3単結晶の育成とその特性
1-1 Ga2O3の特徴
1-2 光FZ法によるβ-Ga2O3単結晶の育成
1-3 光FZ法で育成したβ-Ga2O3単結晶の各種特性
２．β-Ga2O3単結晶のGaN膜成長用基板への応用
2-1 基板の前処理
2-2 β-Ga2O3単結晶基板の窒化処理
2-3 窒化したβ-Ga2O3単結晶基板上へのRF-MBE法によるc-GaN膜成長
３．まとめと今後の展望
第７節 気相成長法によるZnO・ZnSe単結晶成長技術と評価
１．序 論
２．ZnOおよびZnSeの基礎物性と相図
３．結晶成長法
3-1 化学気相輸送法
3-2 昇華法
４．気相成長法によるZnOおよびZnSe単結晶の成長と評価
4-1 CVT法によるZnO単結晶の成長と評価
4-2 CVTとPVT法によるZnSe単結晶の成長と評価
4-2-1 CVT法によるZnSe単結晶の成長
4-2-2 PVT法によるZnSe単結晶の成長と評価
５．結言
第８節 水熱法によるZnO単結晶製造技術
１．国内外のZnOバルク単結晶の開発状況
２．水熱法によるZnO単結晶育成技術
2ｰ1 水熱法の歴史
2ｰ2 育成装置
2ｰ2 育成原理
2ｰ3 育成条件
①育成域温度
②炉内の温度差
③溶媒の充填率
④鉱化剤の種類、濃度
⑤原料の純度およびその形状、粒径
⑥バッフル板の形状、開口率
⑦種結晶の方位
３．水熱法ZnO結晶評価
第９節 SiC単結晶成長技術の進展とその応用
１． SiC単結晶のデバイス応用
２．SiC単結晶のバルク成長（改良レーリー法）
2-1 熱の発生・伝達（誘導加熱、熱伝導、熱輻射、熱対流）
2-2 物質の移動（多元粒子系（Si、SiC2、Si2C他）の拡散、対流、ステファン流）
2-3 化学反応
（原料-昇華ガス界面、昇華ガス-坩堝壁界面、昇華ガス-成長結晶界面、気相）
３．SiC単結晶の多形現象
４．SiC単結晶の基板化加工
５．SiC単結晶のホモエピタキシャル薄膜成長
６．SiC単結晶の電気特性制御
７．SiCバルク単結晶中の転位欠陥
第１節 スパッタリングによるIII族窒化物半導体単結晶膜の成膜法
１．成膜方法と膜質の評価法
２．単結晶膜の成長とその評価
2ｰ1 GaN
2ｰ2 SiドープGaN
2ｰ3 InN
2ｰ4 AlGaN，InGaN
第２節 Si基板上への窒化物(GaN)単結晶薄膜の作製法と応用
１．GaN層ヘテロエピタキシャル成長
２．Si基板上InGaN LED構造
３．Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
第３節 シリコン基板を用いたGaN系青色LEDの開発
１．シリコン基板上にクラックフリーGaNを実現したAlN/GaN多層緩衝層
1-1 シリコン基板上にGaN成長
1-2 応力緩和機構に関する検討
２．Si基板上に作製した青色LED特性
３．パワーLED
４．シリコン基板の特徴を活かした保護ダイオード内蔵LED
第４節は著作権の都合上、掲載しておりません
第５節 InAlGaN４元混晶を用いた高効率・短波長紫外LEDの開発
１．はじめに
２．紫外LED高効率化・短波長化の問題点と解決策
３．高品質AlN/AlGaNテンプレートの実現
４．InAlGaN４元混晶量子井戸からの高効率紫外発光の実現
５．InAlGaN４元混晶を用いた310-350nm帯紫外LED
６．まとめ
第６節 ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題
１．AlN発光デバイスへの期待
２．AlNの結晶成長
３．ｐｎドーピング制御
3-1 ｎ型ドーピング
3-2 ｐ型ドーピング
４．AlN発光ダイオード
５．今後の課題と展望
第７節は著作権の都合上、掲載しておりません
第８節 InN系光デバイス応用
に向けたエピタキシー制御とナノ構造制御の技術動向
１．はじめに
２．InNのその場観察分子線エピタキシー制御と高品質化
３．高In組成InGaNとInAlN混晶のエピタキシャル成長
４．デバイス応用にむけたInNをベースとした量子井戸構造とナノ構造作製
4-1 InN/GaN単一量子井戸構造及びInN/In0.7Ga0.3N多重量子井戸構造
4-2 格子緩和の問題を回避したInNナノ構造～InN量子ドット～
4-3 格子緩和の問題を回避したInNナノ構造～1分子層InN/GaN量子井戸構造の作製～
第９節 ナノコラムLED
１．はじめに
２．GaNナノコラム自己形成
2-1 成長プロセス
2-2 Ｓｉ基板上のＧａＮナノコラム
３．GaNナノコラムの光励起発光特性
3-1 フォトルミネッセンス特性
3-2 高密度光励起による誘導放出
3-3 InGaN/GaN多重量子ディスクナノコラムの発光特性
４．InGaN/GaNナノコラムＬＥＤ
4-1 シャンペングラス型InGaNナノコラムＬＥＤの構造
4-2 デバイス特性
５．おわりに
第１０節は著作権の都合上、掲載しておりません
第１節 ZnTe単結晶成長と応用分野の技術動向
１．ZnTeの物理的性質
２．結晶成長
2-1 溶液ブリッジマン法
2-2 液体封止縦型グラジエントフリーズ法（LE-VGF法）
2-3 液体封止キロポーラス法（LEK法）
2-4 液体封止2重ルツボ引上げ法（LE-DCP法）
３．キャリア濃度の制御
４．結晶評価
５．ウェハーアニール
６．ZnTe結晶の応用
6-1 光デバイス
6-2 EOデバイス
第２節は著作権の都合上、掲載しておりません
第３節 ZnO（酸化亜鉛）による発光ダイオードの開発動向
１．紫外LEDの必要性
1-1 窒化ガリウム（GaN）ベース白色LEDの現状
1-2 照明用途に向けての障害
1-3 抜本的な解決策：紫外LED
２．ZnOとGaNの比較
３．ZnO-LEDに向けての要素技術開発状況
3-1 バンドギャップエンジニアリング
3-2 P型ZnO
3-2-1 窒素ドーピングのジレンマ
3-2-2 窒素ドーピングのジレンマの解決
４．量産化へ向けての技術開発
4-1 成長方法と基板の選定
4-2 ホモエピ成長と面方位
５．今後の展望
第１節は著作権の都合上、掲載しておりません
第２節は著作権の都合上、掲載しておりません
第３節 LED用蛍光体材料の設計と発光特性
１．希土類元素の光物性
２．LED用蛍光体の開発方向
３．各色蛍光体の特性
3-1 青色蛍光体
3-2 緑-黄色蛍光体
3-3 赤色蛍光体
3-3-1 CTS吸収・4f-4f遷移発光
3-3-2 ４f-５d遷移帯吸収・発光
3-3-3 ４f-４f遷移励起・発光
3-3-4 イオン間のエネルギー伝達を利用
４． LED励起用蛍光体の使用形態に関する研究開発動向
第４節 白色ＬＥＤ用樹脂とＬＥＤパッケージの最新技術
１．はじめに
２．白色用封止樹脂の開発
2-1 輝度劣化試験
2-2 透明性の改善
３．封止方法
４．結 論
第５節白色LED用パッケージ技術
１．高輝度LED用セラミックパッケージ
２．多層セラミック技術を使ったセラミックパッケージ（多層セラミックパッケージ）
2-1 多層セラミックパッケージの製造工程
2-2 反射率向上への取り組み
2-3 高発熱材料の採用と熱解析シミュレーション
2-4 実装効率化への取り組み
３．薄膜メタライズ技術を使ったセラミックパッケージ（薄膜メタライズパッケージ）
3-1 反射率改善の取り組み
3-2 低熱抵抗への取り組み
４．終わりに
第１節 電子写真用半導体レーザアレイの開発
１．レーザプリンタの高速高精細化と半導体レーザ
２．赤色半導体レーザアレイの開発
2-1 素子構造と作製方法
2-2 ドループ特性の検討
2-3 半導体レーザの温度分布と熱抵抗
2-4 素子特性
第２節 次世代DVDシステム用高出力青紫色レーザの開発
１．記録型光ディスクシステムと半導体レーザの高出力化、ビーム近円化
1-1 高速記録・多層記録システムとディスク盤面光強度の関係
1-2 半導体レーザの高出力化とビーム近円化
２．青紫色レーザの高出力化とビーム近円化
2-1 青紫色レーザの高出力化
2-2 青紫色レーザのビーム近円化
３．高出力青紫色レーザの特性
3-1 素子作製工程
3-2 素子特性
第３節 LEDの照明への応用
１．LEDの照明への展開－真空システム光源から固体素子光源へ
２．人間社会における照明の重要性
2-1 照明の基本要素としての光の機能とやくわり
2-2 照明工学の発達
３．LED光源とその特長
3-1 LED光源発達の経過
3-2 LED光源の構造
3-3 真空システム光源と固体素子光源の比較
４．LED光源の一般照明への展開と要検討点
4-1 LED光源を照明用に使用する場合の諸問題
4-2 光源色の多様化に関連する諸問題
５．照明器具設計上の諸問題
5-1 光源素子の集合化（integrating）の問題
5-2 点灯回路の問題
5-3 光源素子分散化（digitalizing）の問題
5-4 多機能化（bit 数の増大）に関連する問題
６．LED光源からの光の人体への安全性
6-1 光の安全性
6-2 光源からの光の安全性評価のための国際規格制定
6-3 LED光源の安全性評価
７．LEDの照明分野への応用の今後
第４節 自動車におけるLEDの応用例
１．外装におけるLED
1-1 歴史
1-2 近年の動向
1-3 新しい応用例
1-3-1 黄色LED
1-3-2 赤外LED
1-3-3 白色LED
２．内装におけるLED
2-1 表示用としてのLED
2-2 照明用としてのLED
３．LEDヘッドランプ
3-1 ヘッドランプの要件
3-1-1 使用環境
3-1-2 各国法規
3-1-3 配光要件
3-2 LEDヘッドランプの構成要素
3-2-1 光源
3-2-1-1 光束
3-2-1-2 光源の形状
3-2-1-3 発光色
3-2-2 光学系
3-2-3 点灯回路
3-2-4 熱マネジメント
3-3 今後の開発課題
3-3-1 発光効率の向上
3-3-2 発光色の改良
3-3-3 コスト低減
１．化合物半導体プラズマエッチング装置
1-1 プラズマエッチングとは
1ｰ2 CCP-RIE（Capacitive Coupled Plasma：
容量結合型（平行平板型)‐Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）
1-3 誘導結合型プラズマエッチング装置
２．化合物半導体プラズマエッチングの概論
2-1 化合物半導体プラズマエッチングの化学
2-2 アルミ混晶の材料に対するエッチング
2-3 添加ガスの効果
2-3-1 GaAs/AlGaAs等速エッチング
2-3-2 GaAs/AlGaAs選択エッチング
３．化合物半導体プラズマエッチングの最新研究
3-1 Cl2-Xeによる垂直平滑加工
3-2 エッチングプラズマの質量分析と発光分光分析
3-2-1 四重極質量分析器によるエッチングプラズマの質量分析
3-2-2 エッチングプラズマの発光分光分析
3-3 エッチングガスの質量効果
3-4 ヨウ化水素を用いたInPの低温ドライエッチング
４．微細加工の目的によるプロセス条件の選択
4-1 プロセス選択のコンセプト
4-2 ビアホール、素子分離等の高速エッチング
4-3 レーザーダイオード、フォトニック結晶等の異方性エッチング
4-4 HEMTなどのリセスエッチング
4-5 GaNのエッチング
５．プラズマエッチングに関連した周辺トピックス
5-1 ヘテロ界面でのエンドポイント検出
5-2 プラズマ反応室のクリーニング
