第1節 半導体封止樹脂の種類とトレンド技術
[1]は著作権の都合上、掲載しておりません
[2] 半導体封止材料(アンダーフィル材)
1.半導体部品の動向
2.アンダーフィル材について
3.アンダーフィル材の必要性能
4.FC用アンダーフィル材の設計
5.信頼性向上のための設計
6.BGA・CSP用アンダーフィル材の設計
7.BGA・CSP用アンダーフィル材のリペア性
第2節 半導体封止用フィラーへの要求特性およびその対応
1.デバイス、パッケージおよび封止材動向とフィラーへの要求特性
2.各要求特性への対応
2−1 シリカフィラー
2−2 フィラー高充填化技術
2−3 超微粉シリカ
2−4 アルミナフィラー
2−5 その他フィラー
3.今後の展開
第3節 はんだボールの製造方法と実装信頼性向上
[1] はんだボール
1.製造方法とバンプ形成
1−1 製造方法
1−2 バンプ形成と実装
2.はんだ組成
3.信頼性
3−1 はんだバンプとしての信頼性
3−2 実装後の信頼性
4.不具合事例
5.今後の課題
[2] BGA・CSP用高耐落下衝撃鉛フリーはんだボール
1.鉛フリーはんだボールの耐落下衝撃特性
2.高耐落下衝撃特性メカニズムに掛る考察
2−1 微量添加元素
2−2 高耐落下衝撃特性の本質
第4節 実装用接着剤の機能と接着メカニズム
[1] 導電性接着剤の技術動向について
1.導電性接着剤の用途および実用例
2.導電性接着剤の構成材料
3.導電性接着剤の導電メカニズム及び接着メカニズム
3−1 導電性接着剤の導電メカニズム
3−2 導電性接着剤の接着メカニズム
4.導電性接着剤に使用される樹脂バインダー
5.エポキシ系導電性接着剤とハンダの特性比較
5−1 導電性接着剤(XA-874)、Pbハンダ、Pbフリーハンダの特性比較
5−2 Snめっき電極に対する導電性接着剤とハンダの信頼性試験
5−3 錫めっき電極に対する導電性接着剤の抵抗上昇原因追求
6.最近の導電性接着剤の技術動向
6−1 錫電極対応型導電性接着剤
6−2 高放熱型導電性接着剤
6−3 金属結合型導電性接着剤
[2] 異方導電フィルム
1.形態と機能
2.接続原理
3.アプリケーション
3−1 COF用異方導電フィルム
3−2 入力用(TCP・COF−PWB)異方導電フィルム
3−3 COG用異方導電フィルム
3−4 COF(ICチップ)実装用異方導電フィルム
3−5 他のいろいろなアプリケーション
第5節 高密度実装・高機能ICパッケージ用TABテープ
1.TABテープの基本製造プロセス
1−1 1メタルTABテープ
1−2 2メタルTABテープ
2.パッケージ基板用TABテープの開発事例
2−1 CSP用銅充てんめっきTABテープ
2−2 μBGAR用テープおよびパッケージ
2−3 T−BGA用TABテープ
2−4 高密度実装・高速化対応2メタルTABテープ
第6節 大型液晶ディスプレイ用COFテープキャリア
1.COFテープ
1−1 従来型TABテープの課題とCOF構造への変遷
1−2 COFテープ製造工程と特徴
1−3 COF用2層CCL材
2.ファインピッチ化
2−1 エッチング法
2−2 セミアディティブ法
3.COFテープの無電解スズめっき
第7節 ボンディングワイヤの種類と高機能・高信頼性化
1.高密度実装用ワイヤ
2.低温接合用ワイヤ
3.車載IC用途での高信頼性ワイヤ
4.高信頼性ワイヤ
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第1節 ガラスクロスの種類・要求特性と極薄・高機能化
1.ガラスの種類とガラスクロスの製造工程
1−1 ガラス種類と物性
1−2 ガラスクロスタイプと規格
1−3 ガラスクロスの製造工程
2.ガラスクロスに要求される特性
2−1 ガラスの表面処理
2−2 開繊加工
2−3 基板寸法変化の改善
2−4 耐薬品性
3.極薄ガラスクロス
3−1 開繊加工の効果
3−2 超開繊ガラスクロス
3−3 極薄下限へのアプローチ
4.高機能化対応クロスへの超開繊クロス展開
4−1 高周波用途
4−2 低熱膨張性
4−3 打抜き加工性
4−4 高絶縁信頼性
第2節 3層フレキシブル銅張積層板の構成材料と要求特性
1.3層FCCL構成材料
1−1 フィルム
1−2 銅箔
1−3 接着剤
2.FPCへの要求特性
2−1 高屈曲化
2−2 高密度化
2−2−1 ファインピッチ化
2−2−2 多層化
2−3 低反発化
2−4 環境対応
第3節 2層フレキシブル銅張積層板の構成・製法と高性能化
[1] 2層フレキシブル銅張積層板(三井化学)
1.2層CCLの構成
2.2層CCLの製法
3.薄型化、高屈曲化の動向
4.高寸法安定化の動向
5.高ピール強度化の取組み
5−1 ポリイミドの流動性
5−2 銅箔種・銅箔厚さ・銅箔表面処理の依存性
[2] 2層フレキシブル銅張積層板(信越化学工業)
1.各製法における特徴
1−1キャスト法
1−2 ラミネート法
1−3 スパッタメッキ法
2.2層CCLの要求特性への対応
2−1 屈曲性
2−2 柔軟性
2−3 低吸湿性
2−4 透明性
2−5 ポリイミドエッチング
3.2層CCL薄肉化への対応
3−1 薄物CCLの搬送装置
3−2 CCL裏打ち材(キャリアPETフィルム)
[3]は著作権の都合上、掲載しておりません
第4節 ガラス基材銅張積層板の構成と高速・高周波対応
1.基本構成
1−1 銅箔
1−2 ガラス基材
1−3 樹脂
2.最近の技術動向
2−1 ビルドアップ基板用材料
2−1−1 レーザ加工対応プリプレグ
2−1−2 新規ビルドアップ基板用材料
2−2 高耐熱・高信頼性
2−3 高速・高周波対応
2−4 環境対応
2−5 半導体パッケージ基板用材料
第5節は著作権の都合上、掲載しておりません
第6節 部品内蔵配線板の特徴・種類および技術動向
1.なぜ今、電子部品内蔵配線板か
2.電子部品内蔵基板の特徴と分類
3.セラミック系は受動部品内蔵によるモジュール・パッケージで応用拡大が進む
4.樹脂系は受動・能動部品内蔵で製品化が進む
4−1 受動部品内蔵配線板
4−2 受動・能動部品内蔵基板
第7節 ビルドアップ基板材料の構成と用途展開
[1] 熱硬化樹脂フィルムの基本物性と製造方法
1.絶縁樹脂
1−1 樹脂付き銅箔
1−2 熱硬化フィルム
1−3 感光性フィルム
2.ビルドアップ樹脂の樹脂性能と組成
@)耐熱性向上
A)絶縁信頼性向上
B)機械強度向上
C)メッキによる銅配線形成
D)流動性制御
E)難燃性付与
3.今後のビルドアップ用絶縁樹脂の動向
[2] 液状・フィルムの特性・特徴と用途展開
1.プリント配線板用感光性フィルム
1−1 回路形成用
1−1−1 工法
1−1−2 レジストへの要求特性
@)感光層
A)ベースフィルム
B)直描化
1−2 ソルダーレジスト
[3] フォトビア材料への要求特性と今後の動向
1.ビルドアップ基板
2.フォトビア材料に対する要求特性
3.液状及びフィルム状フォトビア材料
4.今後の動向
第8節 電解銅箔・圧延銅箔の構成・特性と用途展開
1.電解銅箔
1−2 電解銅箔の造箔(未処理箔)工程
1−3 特殊電解銅箔
1−3−1 電解銅箔結晶構造
1−3−2 表面粗さ
1−3−3 機械的特性
1−4 電解銅箔開発動向
2.圧延銅箔
2−1 圧延銅箔の製造工程
2−2 高屈曲箔
2−2−1 結晶構造の変化
2−2−2 高屈曲のメカニズム
2−3 超低粗度箔
2−4 圧延銅箔の開発動向
3.表面処理技
3−1 表面処理工程
3−2 表面処理形態
3−3 粗面処理の進化
3−4 高周波回路用途
3−5 COF用途
第9節 耐熱性基板材料の種類・特性と耐熱性向上
[1] エポキシ樹脂の特性と高耐熱化
1.多官能エポキシ樹脂
1−1 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
1−2 フェノールノボラック型エポキシ樹脂
1−3 3官能型エポキシ樹脂
1−4 4官能型エポキシ樹脂
1−5 ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
1−6 アラルキル型エポキシ樹脂
2.2官能型エポキシ樹脂
2−1 テトラブロムビスフェノールA型エポキシ樹脂
2−2 イソシアネート変性型エポキシ樹脂
2−3 ビスフェノールS型エポキシ樹脂
2−4 ナフタレン型エポキシ樹脂
2−5 キサンテン型エポキシ樹脂
3.エポキシ樹脂の変性
3−1 有機−無機ハイブリッド
3−2 ナノコンポジット変性
[2] ポリイミド系実装材料の設計と接着性改良
1.ポリイミド系塗布材料
2.実装用ポリイミド系塗布材料の設計
3.ポリイミドの接着性改良
3−1 シリコン基板との接着改良
3−2 封止樹脂との接着性
3−3 金属との接着
4.耐薬品性とガラス転移温度
5.実装用の感光性ポリイミド
[3]は著作権の都合上、掲載しておりません
[4] 液晶ポリマーの構造・合成方法と耐熱性向上
1.市場動向
2.合成法
3.構造
4.耐熱性
5.電気特性
6.マテリアルサイクルと燃焼性
7.溶融加工特性
第10節 低誘電率・低誘電損失基板材の特性と低誘電率化
[1]は著作権の都合上、掲載しておりません
[2] フッ素樹脂の誘電率測定と誘電率・誘電正接の改良
1.フッ素樹脂プリント基板
2.フッ素樹脂の誘電特性
3.PTFEの誘電率・誘電正接の改良
3−1 末端基変換
3−2 焼成条件,結晶化度との関係
3−3 多孔化による低密度化
4.フッ素樹脂の誘電率・誘電正接測定方法
[3]は著作権の都合上、掲載しておりません
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第1節 実装用レジストの種類・特性と高性能化
[1] DFR(ドライフィルムレジスト)の製造工程・メカニズムと応用
1.DFRの工程とメカニズム
1−1 構造
1−2 整面
1−3 ラミネート
1−4 露光
1−5 現像
1−6 ファインパターンの形成
1−7 剥離
2.DFRの応用
2−1 ダイレクトイメージング用
2−2 パッケージ用
2−3 その他の用途
[2] ソルダーレジストの組成・製造工程と高性能化
1.ソルダーレジストの組成
1−1 アルカリ現像性感光性樹脂
1−2 光重合開始剤
1−3 熱硬化性樹脂
2.ソルダーレジストの形成工程
3.ソルダーレジストの性能及び高性能化
3−1 各種めっき耐性
3−2 耐マイグレーション性
3−3 冷熱サイクルのクラック低減
3−4 ソルダーレジストの環境対応
4.これからのソルダーレジスト 〜レーザーダイレクトイメージング対応〜
第2節 実装用はんだの種類・特性と高性能化
[1] 固形はんだの品質向上のポイント
1.はんだ付品質向上のポイント
1−1 フラックス塗布
1−2 はんだ付
2.仕上がり品質
2−1 リフトオフ
2−2 引け割れ
[2] クリームはんだの特徴と断面観察
1.代表的なはんだ
2.はんだの特徴
2−1 Sn-Ag-Cu系
2−2 Sn-Zn系
2−3 Sn-Ag-In-Bi系
2−4 Sn-Bi系
3.課題
4.今後の動き
[3] プリフラックス(プレフラックス)の特性と用途展開(四国化性工業)
1.プレフラックスについて
2.表面処理剤の種類
3.市場動向
4.水溶性プレフラックスの化学
5.はんだ付け特性
6.処理方法
[4] プリフラックス(プレフラックス)の特性と用途展開(メック)
1.鉛フリー化がもたらした「実装メーカーのプリント基板への要求」
2.鉛フリー化によってプリント基板がOSPに要求すること
3.OSP「メックシールCL−5018S」の開発コンセプト
4.メックシールCL−5018Sの性能
4−1 はんだ揚がり性能
4−2 はんだ拡がり性能
4−3 銅表面への皮膜形成と金めっき表面での非皮膜形成
4−4 マイクロエッチング剤との相性
5.実生産ラインでの管理の簡易さ
第3節 高温焼成厚膜ペーストの種類と材料および用途展開
1.薄膜と厚膜
2.厚膜ペーストの種類と材料
2−1 ポリマ厚膜ペーストと高温焼成厚膜ペースト
2−2 厚膜ペーストの顔料
3.厚膜ペーストの印刷
4.厚膜ペーストの用途
4−1 チップ部品における厚膜ペースト
4−1−1 チップ抵抗器
4−1−2 積層セラミックコンデンサ
4−1−3 積層チップインダクタ
4−2 フラットパネルディスプレイにおける厚膜ペースト
4−2−1 プラズマディスプレイ
4−2−2 無機ELディスプレイ
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第1節 バンプめっき法によるバンプ形成技術
1.Auバンプめっき法
1−1 めっき液特性の向上(ファインピッチへの対応)
1−2 接合信頼性の向上
1−3 均一電着性の向上
2.はんだバンプめっき法
3.Wafer Level CSP向けCu/Ni/Auめっき法
4.バンプめっき用装置
4−1 めっき速度の高速化
4−2 めっき欠陥・ボイドの低減
4−3 面内均一性の向上
第2節 鉛フリー材を用いた
FlipChip対応ウェハレベルマイクロボールバンプ形成技術
1.マイクロボールバンピングとリペアシステム
2.ボール材料
3.UBMと信頼性
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第1節 ダイレクトプレーティングの種類と伝播メカニズム
1.ダイレクトプレーティングの開発と普及
2.ダイレクトプレーティングの種類とめっきの伝播メカニズム
3.Pd/Sn混合触媒層の導体化処理による変化
4.ABS樹脂上での触媒層付与とダイレクトプレーティングによるめっき層の成長
5.ダイレクトプレーティングの伝播メカニズム
第2節 はんだ接合技術・工法の原理と温度プロファイル
1.はんだ付け技術の原理
2.はんだ材料の種類
3.はんだ材料の状態図
4.はんだ付け工法の種類
4−1 基板実装工程におけるソルダリング工程
4−2 リフローソルダリング工法
4−2−1 リフローソルダリング工法の種類と特徴
4−2−2 温度プロファイルの持つ役割
4−2−3 温度均一性
4−2−4 望ましい温度バランス
4−3 フローソルダリング工法
4−3−1 フラックス塗布
4−3−2 予熱(プリヒート)
4−3−3 ソルダリング槽とフロー温度
4−3−4 不活性雰囲気ソルダリング装置
4−4 局所はんだ付け工法(はんだ鏝作業)
第3節 鉛フリーはんだ接合技術の実装プロセス
1.Sn-3.0Ag-0.5Cuはんだによる実装プロセス
1−1 リフローソルダリングプロセス
1−2 フローソルダリングプロセス
1−3 マニュアルソルダリングプロセス
1−4 その他のプロセス
2.その他の鉛フリーはんだ
3.最近の技術動向
第4節 異方性導電フィルム(ACF)を用いた接続技術
1.ACF接続原理と圧着工程
1−1 接続原理
1−2 圧着工程の解析
1−3 圧着工程での不良発生
1−4 圧着工法の改良
2.接続信頼性とその支配因子
2−1 接着強度
2−2 導電特性
2−3 絶縁特性
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第3章 各種回路形成・配線技術の原理・特性と問題改善 |
第1節 露光法による回路形成プロセス露光装置の選定
1.回路形成プロセスと露光装置
2.露光(フォトリソグラフィ)技術
2−1 高解像度・低収差投影光学系
2−2 フォーカス(焦点合わせ)精度
2−3 回路パターンの重ね合わせ精度
3.露光装置の種類と構成
3−1 ArF液浸スキャン露光装置
3−2 ArF/KrFスキャン露光装置
3−3 i線一括露光装置
第2節は著作権の都合上、掲載しておりません
第3節 金属ナノ粒子インクの合成と微細配線形成
1.金属ナノ粒子の合成
2.ナノ粒子インクの特性
3.配線キュアの低温化
第4節 インクジェット印刷による微細配線技術
1.Printed Electronics
2.インクジェット印刷技術
3.インクジェット法による描画
4.配線層と基板の密着
5.インクジェット印刷技術による微細配線のこれから
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1.バンプめっき
2.Cuダマシンめっきの添加剤
3.三次元実装の貫通電極形成
4.半導体へのめっき技術の将来展望
5.Cu配線,Ag配線
6.半導体デバイス,貫通電極
7.MEMSへの展開
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第1節 ビアホール形成技術の高精度化
[1] レーザ穴開け法によるホール形成技術
1.プリント基板穴あけ用レーザ加工機
1−1 CO2レーザ加工機
1−2 UV−YAGレーザ加工機
2.最近の技術動向
2−1 小径・高テーパ化
2−2 加工位置精度の向上
2−3 高速加工
3.銅ダイレクト加工
[2] は著作権の都合上、掲載しておりません
第2節 フリップチップ実装技術における各種工法のメカニズム
1.C4工法
2.ACF工法(Anisotropic Conductive Film)
3.NCP工法
4.ESC工法
5.超音波工法
第3節 LCD実装の技術トレンド
[1] 液晶ドライバ用実装技術(TCP/COF)
1.TCP技術
1−1 TCPプロセス
1−2 ILB装置の基本仕様
1−3 ILB装置のボンディング方法
2.LCD分野におけるCOF技術
2−1 COFプロセス
2−2 COF用FCB基本仕様
2−3 COFにおける接続プロセスの比較
2−3−1 Au−Sn共晶接合プロセス
2−3−2 ACFプロセス
2−3−3 NCPプロセス
2−3−4 US(Ultra Sonic = 超音波)プロセス
[2] COF実装におけるボンディング技術と接続信頼性向上
1.各種フリップチップボンディング方式の分類と特徴
1−1 圧接接合フリップチップ・ボンディング(ACF,NCP)
1−2 金属接合フリップチップ・ボンディング
2.各ボンディング方式と特徴
2−1 圧接接合COF(ACF,NCP)
2−1−1 ACF工法,NCP工法の特徴
2−1−2 金−スズ接合COF
3.COFにおける接続信頼性
3−1 圧接工法における接続原理と接続信頼性に関する考察
3−2 金−スズ工法における接続信頼性に関する考察
4.ファインピッチCOFにおける課題と取組
4−1 COFテープ基板
4−2 ボンディング位置精度
4−3 信頼性向上における課題と取組
第4節 狭隣接実装の技術トレンド
[1] 0603チップ部品実装技術
1.0603チップ部品実装の現状
1−1 チップ部品仕様
1−2 実装基板の紹介
1−3 実装関連材料
1−3−2 はんだ材料
1−4 実装不良内容
1−5 はんだ付け品質と要因の関連
1−6 実装評価基板(部品間隙間0.15mm)
2.マウンターのポイント
2−1 マウンターのポイント
2−1−1 実装精度
2−1−2 部品吸着ノズル
2−1−3 認識
2−1−4 狭隣接実装ソフト
2−2 吸着率,装着率に影響を及ぼす部品要因
3.はんだ付品質のポイント
3−1 はんだ付け品質確保の要因
3−1−1 印刷と実装品質の関係
3−1−2 印刷機のはんだ抜け性の向上
3−2 ブリッジ発生状況
3−3 マイクロブリッジ
3−4 はんだボール
3−4−1 はんだボールの発生状況
3−4−2 はんだボールとリフロー温度プロファイルの関係
3−5 セルフアライメント効果
3−5−1 セルフアライメントの状況
3−5−2 セルフアライメント評価結果
3−6 狭隣接実装用基板
[2] 微小チップ部品(0402・0603チップ)の狭隣接実装技術
1.高密度実装・微小部品の動向
1−1 電子機器の動向
1−2 部品の動向
2.狭隣接実装の取組み
2−1 狭隣接の実装の要因分析
2−2 評価基板
2−2−1 0402狭隣接実装評価用基板の外観
2−2−2 0402狭隣接実装評価用基板の仕様
2−2−3 0603狭隣接実装評価用基板の外観
2−2−4 0603狭隣接実装評価用基板の仕様
3.微小部品狭隣接実装の課題
3−1 狭隣接実装の基本的な考え方
3−2 狭隣接実装の課題
3−3 欠品について
3−2−1 欠品発生状況
3−2−2 タッキング力測定
3−4 セルフアライメントについて
3−5 ブリッジについて
3−5−1 部品間ブリッジ
3−5−2 同一部品内ブリッジ
3−6 はんだ不濡れについて
3−6−1 はんだ不濡れ現象の観察
3−6−2 リフロー温度プロファイルと不濡れ
3−6−3 リフロー雰囲気とはんだ不濡れ
3−7 高アスペクト比版離れ印刷について
3−7−1 高アスペクト比版離れ状態
3−7−2 体積率の測定
4.0402・0603実装基板
5.今後の狭隣接実装の動向
5−1 今後の狭隣接実装の動向
5−2 狭隣接実装の信頼性向上の条件
[3] 0402チップ抵抗器の性能と実装技術
1.0402チップ抵抗器の開発
1−1 電子部品小型化の流れ
1−2 電気的仕様
1−3 機械的仕様
1−4 性能
2.0402チップ抵抗器の開発の進め方
3.0402チップ抵抗器の実装技術
3−1 部品
3−2 はんだ濡れ性
3−3 セルフアライメント性
第5節 SiP・3次元実装の技術トレンド
[1] SiPパッケージの外形・構造と実装技術
1.SiPの定義と分類
2.SiPのパッケージ外形・構造
3.SiPに使用される実装技術
3−1 ウエハ研磨に関する技術
3−2 ワイヤボンディング技術
3−3 フリップチップ技術
3−4 基板技術
4.その他のSiP技術
4−1 PoP(Package on Package)
4−2 CoC(Chip on Chip)
[2] SiP・3次元実装の設計と要素技術
1.半導体パッケージへの要求
2.SiPのロードマップ
3.SiP構造と適用製品群
3−1 SiPとPoP
3−2 SiP設計
4.SiPに必要なパッケージ要素技術
4−1 裏面研磨
@)裏面研磨プロセスの概要
A)薄仕上げ裏面研磨の特徴
4−2 ダイシング技術
@)ブレードダイサー方式
A)レーザダイシング技術
4−3 ダイボンド技術
@)ダイボンド技術課題
A)ダイボンド装置の対応
4−4 ワイヤボンド技術
@)オーバーハング構造対応の接合技術
A)チップ間ワイヤーボンディング技術
4−5 フリップチップ技術
@)Auはんだ接続
A)はんだ−はんだ接続
5.今後のSiPでの新技術
5−1 Si貫通電極構造の3次元実装技術
5−2 チップ内蔵基板技術
第6節は著作権の都合上、掲載しておりません
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第6章 解析シミュレーションによる高密度実装の信頼性評価技術 |
第1節 数値解析シミュレーションの研究背景
1.電子機器の小型化、高密度化への背景
2.数値解析シミュレーションの目的
第2節 実装信頼性を評価する数値解析手法
1.基板構造とパラメータ
2.数値解析
2−1 構造問題に対する数値解析の手法
2−2 弾性変形と塑性変形
2−3 熱応力
2−3−1 熱応力平衡方程式
2−3−2 歪みと変位の関係式
2−3−3 応力と歪みの関係式
3.コンパクトモデル化手法
3−1 要素の生成方法
3−1−1 体積比法
3−1−2 半田ボールのコンパクト法
3−2 非線形解析手法
3−2−1 サイクル評価法
3−2−2接触解析の単純化法
3−2−3 内部反復の単純化法
4.初期条件
5.境界条件
6.数値解析精度の検証と信頼性予測
第3節 構造問題に対する高密度実装のための最適設計
1.ビルドアップ基板上への高密度実装
2.最適構造設計
2−1 コーティングレジスト
2−2 RFP蓋めっき厚
2−3 絶縁層厚
2−4 FR4厚
2−5 RFPの有無
2−6 最適構造設計
3.FCAへの応用
3−1 半田高さ
4.MCMへの応用
4−1 FR4厚
4−2 アンダーフィルの量
5.配線密度の差による影響
第4節 ACF接続における
導電性粒子の変形問題に対する断面構造解析と数値解析
1.ACF接続
2.断面構造解析
3.数値電場解析
4.数値構造解析
第5節 POP(Package on Package)数値解析における物性値信頼性
1.POP構造
2.数値解析と実機テスト
3.実測物性値を用いた数値解析
第6節 スタックビアの接続信頼性
1.スタックビアに発生するストレスと歪み評価のためのパラメータ
2.モデリング
3.数値解析結果
第7節 数値解析シミュレーションの将来展望
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