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実装 書籍

1401

一流企業実務者が明かす、最先端の“材料”と“技術”
最新 エレクトロニクス実装 大全集

【上巻・下巻】

The latest / The Complete Works of Electronics installation
 
【上巻】≪実装材料編≫ 封止樹脂/フィラー/接着剤/レジスト/プリント配線板 等
[体裁:B5判 368頁]
 
【下巻】≪実装技術編≫ バンプ形成/めっき/回路・配線形成/高密度化/軽薄短小化 等
[体裁:B5判 376頁]
■ 執筆者(敬称略)
サンスター技研(株) 奥野 辰弥
電気化学工業(株) 岩佐 光芳
千住金属工業(株) 大西 司
新日本製鐵(株) 田中 將元
(株)日鉄マイクロメタル 木村 勝一
藤倉化成(株) 甲斐 朋斉
日立化成工業(株) 後藤 泰史
日立電線(株) 岡部 則夫
日立電線(株) 珍田 聡
新日本製鐵(株) 宇野 智裕
(株)日鉄マイクロメタル 山田 隆
(株)有沢製作所 市川 昭男
(株)有沢製作所 荻野 満
三井化学(株) 大坪 英二
信越化学工業(株) 薄 雅浩
松下電工(株) 米本 神夫
実装技術NPO法人
サーキットネットワーク
本多 進
味の素ファインテクノ(株) 林 栄一
日立化成工業(株) 市川 立也
旭化成エレクトロニクス(株) 花畑 博之
福田金属箔粉工業(株) 河原 秀樹
大日本インキ化学工業(株) 森山 博
東レ(株) 富川 真佐夫
ポリプラスチックス(株) 渡辺 一史
ダイキン工業(株) 吉本 洋之
ダイキン工業(株) 清水 哲男
旭化成エレクトロニクス(株) 阿部 公博
太陽インキ製造(株) 有馬 聖夫
(株)ニホンゲンマ 萩尾 浩一
四国化成工業(株) 平尾 浩彦
メック(株) 西江 健二
昭栄化学工業(株) 馬場 則弘
日本エレクトロプレイティング
エンジニヤース(株)
河原 伸也
新日本製鐵(株) 巽 宏平
新日本製鐵(株) 石川 信二
新日本製鐵(株) 橋野 英児
新日本製鐵(株) 佐々木 勉
新日本製鐵(株) 山本 幸弘
(株)日鐵テクノリサーチ 内山 朋幸
新日鉄マテリアルズ(株) 河野 太郎
新日鉄マテリアルズ(株) 宮内 雅弘
新日鉄マテリアルズ(株) 金子 高之
工学院大学 小野 幸子
日本精工(株) 武井 利泰
長野沖電気(株) 宮崎 誠
大阪大学 井上 雅博
(株)ニコン 舛行 崇
大阪大学 菅沼 克昭
大阪大学 金 槿銖
大阪大学 和久田 大介
大阪府立大学 近藤 和夫
三菱電機(株) 小林 信高
パナソニック
ファクトリーソリューションズ(株)
永福 秀喜
芝浦メカトロニクス(株) 松下 兼人
(株)ミスズ工業 千野 満
パナソニック
ファクトリーソリューションズ(株)
松本 邦世
KOA(株) 木下 順
(株)ルネサステクノロジ 菊池 隆文
(株)ルネサステクノロジ 島本 晴夫
中西技術士事務所 中西 徹
■ 目  次


【 上 巻 】

第1章 半導体実装・封止関連材料

第1節 半導体封止樹脂の種類とトレンド技術

[1]は著作権の都合上、掲載しておりません

[2]  半導体封止材料(アンダーフィル材)
1.半導体部品の動向
2.アンダーフィル材について
3.アンダーフィル材の必要性能
4.FC用アンダーフィル材の設計
5.信頼性向上のための設計
6.BGA・CSP用アンダーフィル材の設計
7.BGA・CSP用アンダーフィル材のリペア性


第2節 半導体封止用フィラーへの要求特性およびその対応
1.デバイス、パッケージおよび封止材動向とフィラーへの要求特性
2.各要求特性への対応
 2−1 シリカフィラー
 2−2 フィラー高充填化技術
 2−3 超微粉シリカ
 2−4 アルミナフィラー
 2−5 その他フィラー
3.今後の展開


第3節 はんだボールの製造方法と実装信頼性向上

[1]  はんだボール
1.製造方法とバンプ形成
 1−1 製造方法
 1−2 バンプ形成と実装
2.はんだ組成
3.信頼性
 3−1 はんだバンプとしての信頼性
 3−2 実装後の信頼性
4.不具合事例
5.今後の課題


[2]  BGA・CSP用高耐落下衝撃鉛フリーはんだボール
1.鉛フリーはんだボールの耐落下衝撃特性
2.高耐落下衝撃特性メカニズムに掛る考察
 2−1 微量添加元素
 2−2 高耐落下衝撃特性の本質


第4節 実装用接着剤の機能と接着メカニズム

[1]  導電性接着剤の技術動向について
1.導電性接着剤の用途および実用例
2.導電性接着剤の構成材料
3.導電性接着剤の導電メカニズム及び接着メカニズム
 3−1 導電性接着剤の導電メカニズム
 3−2 導電性接着剤の接着メカニズム
4.導電性接着剤に使用される樹脂バインダー
5.エポキシ系導電性接着剤とハンダの特性比較
 5−1 導電性接着剤(XA-874)、Pbハンダ、Pbフリーハンダの特性比較
 5−2 Snめっき電極に対する導電性接着剤とハンダの信頼性試験
 5−3 錫めっき電極に対する導電性接着剤の抵抗上昇原因追求
6.最近の導電性接着剤の技術動向
 6−1 錫電極対応型導電性接着剤
 6−2 高放熱型導電性接着剤
 6−3 金属結合型導電性接着剤

[2]  異方導電フィルム
1.形態と機能
2.接続原理
3.アプリケーション
 3−1 COF用異方導電フィルム
 3−2 入力用(TCP・COF−PWB)異方導電フィルム
 3−3 COG用異方導電フィルム
 3−4 COF(ICチップ)実装用異方導電フィルム
 3−5 他のいろいろなアプリケーション


第5節 高密度実装・高機能ICパッケージ用TABテープ
1.TABテープの基本製造プロセス
 1−1 1メタルTABテープ
 1−2 2メタルTABテープ
2.パッケージ基板用TABテープの開発事例
 2−1 CSP用銅充てんめっきTABテープ
 2−2 μBGAR用テープおよびパッケージ
 2−3 T−BGA用TABテープ
 2−4 高密度実装・高速化対応2メタルTABテープ


第6節  大型液晶ディスプレイ用COFテープキャリア
1.COFテープ
 1−1 従来型TABテープの課題とCOF構造への変遷
 1−2 COFテープ製造工程と特徴
 1−3 COF用2層CCL材
2.ファインピッチ化
 2−1 エッチング法
 2−2 セミアディティブ法
3.COFテープの無電解スズめっき


第7節 ボンディングワイヤの種類と高機能・高信頼性化

1.高密度実装用ワイヤ
2.低温接合用ワイヤ
3.車載IC用途での高信頼性ワイヤ
4.高信頼性ワイヤ

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第2章 プリント配線板関連材料

第1節 ガラスクロスの種類・要求特性と極薄・高機能化
1.ガラスの種類とガラスクロスの製造工程
 1−1 ガラス種類と物性
 1−2 ガラスクロスタイプと規格
 1−3 ガラスクロスの製造工程
2.ガラスクロスに要求される特性
 2−1 ガラスの表面処理
 2−2 開繊加工
 2−3 基板寸法変化の改善
 2−4 耐薬品性
3.極薄ガラスクロス
 3−1 開繊加工の効果
 3−2 超開繊ガラスクロス
 3−3 極薄下限へのアプローチ
4.高機能化対応クロスへの超開繊クロス展開
 4−1 高周波用途
 4−2 低熱膨張性
 4−3 打抜き加工性
 4−4 高絶縁信頼性

第2節 3層フレキシブル銅張積層板の構成材料と要求特性
1.3層FCCL構成材料
 1−1 フィルム
 1−2 銅箔
 1−3 接着剤
2.FPCへの要求特性
 2−1 高屈曲化
 2−2 高密度化
  2−2−1 ファインピッチ化
  2−2−2 多層化
 2−3 低反発化
 2−4 環境対応


第3節 2層フレキシブル銅張積層板の構成・製法と高性能化

[1] 2層フレキシブル銅張積層板(三井化学)
1.2層CCLの構成
2.2層CCLの製法
3.薄型化、高屈曲化の動向
4.高寸法安定化の動向
5.高ピール強度化の取組み
 5−1 ポリイミドの流動性
 5−2 銅箔種・銅箔厚さ・銅箔表面処理の依存性

[2] 2層フレキシブル銅張積層板(信越化学工業)
1.各製法における特徴
 1−1キャスト法
 1−2 ラミネート法
 1−3 スパッタメッキ法
2.2層CCLの要求特性への対応
 2−1 屈曲性
 2−2 柔軟性
 2−3 低吸湿性
 2−4 透明性
 2−5 ポリイミドエッチング
3.2層CCL薄肉化への対応
 3−1 薄物CCLの搬送装置
 3−2 CCL裏打ち材(キャリアPETフィルム)

[3]は著作権の都合上、掲載しておりません


第4節 ガラス基材銅張積層板の構成と高速・高周波対応

1.基本構成
 1−1 銅箔
 1−2 ガラス基材
 1−3 樹脂
2.最近の技術動向
 2−1 ビルドアップ基板用材料
  2−1−1 レーザ加工対応プリプレグ
  2−1−2 新規ビルドアップ基板用材料
 2−2 高耐熱・高信頼性
 2−3 高速・高周波対応
 2−4 環境対応
 2−5 半導体パッケージ基板用材料


第5節は著作権の都合上、掲載しておりません

第6節 部品内蔵配線板の特徴・種類および技術動向
1.なぜ今、電子部品内蔵配線板か
2.電子部品内蔵基板の特徴と分類
3.セラミック系は受動部品内蔵によるモジュール・パッケージで応用拡大が進む
4.樹脂系は受動・能動部品内蔵で製品化が進む
 4−1 受動部品内蔵配線板
 4−2 受動・能動部品内蔵基板


第7節 ビルドアップ基板材料の構成と用途展開

[1] 熱硬化樹脂フィルムの基本物性と製造方法

1.絶縁樹脂
 1−1 樹脂付き銅箔
 1−2 熱硬化フィルム
 1−3 感光性フィルム
2.ビルドアップ樹脂の樹脂性能と組成
 @)耐熱性向上
 A)絶縁信頼性向上
 B)機械強度向上
 C)メッキによる銅配線形成
 D)流動性制御
 E)難燃性付与
3.今後のビルドアップ用絶縁樹脂の動向

[2] 液状・フィルムの特性・特徴と用途展開
1.プリント配線板用感光性フィルム
 1−1 回路形成用
  1−1−1 工法
  1−1−2 レジストへの要求特性
   @)感光層
   A)ベースフィルム
   B)直描化
 1−2 ソルダーレジスト

[3] フォトビア材料への要求特性と今後の動向
1.ビルドアップ基板
2.フォトビア材料に対する要求特性
3.液状及びフィルム状フォトビア材料
4.今後の動向


第8節 電解銅箔・圧延銅箔の構成・特性と用途展開
1.電解銅箔
 1−2 電解銅箔の造箔(未処理箔)工程
 1−3 特殊電解銅箔
  1−3−1 電解銅箔結晶構造
  1−3−2 表面粗さ
  1−3−3 機械的特性
 1−4 電解銅箔開発動向
2.圧延銅箔
 2−1 圧延銅箔の製造工程
 2−2 高屈曲箔
  2−2−1 結晶構造の変化
  2−2−2 高屈曲のメカニズム
 2−3 超低粗度箔
 2−4 圧延銅箔の開発動向
3.表面処理技
 3−1 表面処理工程
 3−2 表面処理形態
 3−3 粗面処理の進化
 3−4 高周波回路用途
 3−5 COF用途


第9節 耐熱性基板材料の種類・特性と耐熱性向上

[1] エポキシ樹脂の特性と高耐熱化
1.多官能エポキシ樹脂
 1−1 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
 1−2 フェノールノボラック型エポキシ樹脂
 1−3 3官能型エポキシ樹脂
 1−4 4官能型エポキシ樹脂
 1−5 ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
 1−6 アラルキル型エポキシ樹脂
2.2官能型エポキシ樹脂
 2−1 テトラブロムビスフェノールA型エポキシ樹脂
 2−2 イソシアネート変性型エポキシ樹脂
 2−3 ビスフェノールS型エポキシ樹脂
 2−4 ナフタレン型エポキシ樹脂
 2−5 キサンテン型エポキシ樹脂
3.エポキシ樹脂の変性
 3−1 有機−無機ハイブリッド
 3−2 ナノコンポジット変性

[2] ポリイミド系実装材料の設計と接着性改良
1.ポリイミド系塗布材料
2.実装用ポリイミド系塗布材料の設計
3.ポリイミドの接着性改良
 3−1 シリコン基板との接着改良
 3−2 封止樹脂との接着性
 3−3 金属との接着
4.耐薬品性とガラス転移温度
5.実装用の感光性ポリイミド

[3]は著作権の都合上、掲載しておりません

[4] 液晶ポリマーの構造・合成方法と耐熱性向上
1.市場動向
2.合成法
3.構造
4.耐熱性
5.電気特性
6.マテリアルサイクルと燃焼性
7.溶融加工特性


第10節 低誘電率・低誘電損失基板材の特性と低誘電率化

[1]は著作権の都合上、掲載しておりません

[2] フッ素樹脂の誘電率測定と誘電率・誘電正接の改良
1.フッ素樹脂プリント基板
2.フッ素樹脂の誘電特性
3.PTFEの誘電率・誘電正接の改良
 3−1 末端基変換
 3−2 焼成条件,結晶化度との関係
 3−3 多孔化による低密度化
4.フッ素樹脂の誘電率・誘電正接測定方法

[3]は著作権の都合上、掲載しておりません

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第3章 その他の実装関連材料 

第1節 実装用レジストの種類・特性と高性能化

[1] DFR(ドライフィルムレジスト)の製造工程・メカニズムと応用

1.DFRの工程とメカニズム
 1−1 構造
 1−2 整面
 1−3 ラミネート
 1−4 露光
 1−5 現像
 1−6 ファインパターンの形成
 1−7 剥離
2.DFRの応用
 2−1 ダイレクトイメージング用
 2−2 パッケージ用
 2−3 その他の用途

[2] ソルダーレジストの組成・製造工程と高性能化

1.ソルダーレジストの組成
 1−1 アルカリ現像性感光性樹脂
 1−2 光重合開始剤
 1−3 熱硬化性樹脂
2.ソルダーレジストの形成工程
3.ソルダーレジストの性能及び高性能化
 3−1 各種めっき耐性
 3−2 耐マイグレーション性
 3−3 冷熱サイクルのクラック低減
 3−4 ソルダーレジストの環境対応
4.これからのソルダーレジスト 〜レーザーダイレクトイメージング対応〜

第2節 実装用はんだの種類・特性と高性能化

[1] 固形はんだの品質向上のポイント

1.はんだ付品質向上のポイント
 1−1 フラックス塗布
 1−2 はんだ付
2.仕上がり品質
 2−1 リフトオフ
 2−2 引け割れ

[2] クリームはんだの特徴と断面観察

1.代表的なはんだ
2.はんだの特徴
 2−1 Sn-Ag-Cu系
 2−2 Sn-Zn系
 2−3 Sn-Ag-In-Bi系
 2−4 Sn-Bi系
3.課題
4.今後の動き

[3] プリフラックス(プレフラックス)の特性と用途展開(四国化性工業)

1.プレフラックスについて
2.表面処理剤の種類
3.市場動向
4.水溶性プレフラックスの化学
5.はんだ付け特性
6.処理方法

[4] プリフラックス(プレフラックス)の特性と用途展開(メック)

1.鉛フリー化がもたらした「実装メーカーのプリント基板への要求」
2.鉛フリー化によってプリント基板がOSPに要求すること
3.OSP「メックシールCL−5018S」の開発コンセプト
4.メックシールCL−5018Sの性能
 4−1 はんだ揚がり性能
 4−2 はんだ拡がり性能
 4−3 銅表面への皮膜形成と金めっき表面での非皮膜形成
 4−4 マイクロエッチング剤との相性
5.実生産ラインでの管理の簡易さ

第3節 高温焼成厚膜ペーストの種類と材料および用途展開

1.薄膜と厚膜
2.厚膜ペーストの種類と材料
 2−1 ポリマ厚膜ペーストと高温焼成厚膜ペースト
 2−2 厚膜ペーストの顔料
3.厚膜ペーストの印刷
4.厚膜ペーストの用途
 4−1 チップ部品における厚膜ペースト
  4−1−1 チップ抵抗器
  4−1−2 積層セラミックコンデンサ
  4−1−3 積層チップインダクタ
 4−2 フラットパネルディスプレイにおける厚膜ペースト
  4−2−1 プラズマディスプレイ
  4−2−2 無機ELディスプレイ

                                                 目次TOP


【 下 巻 】

第1章 各種バンプ形成技術の原理・特性と問題改善

第1節 バンプめっき法によるバンプ形成技術

1.Auバンプめっき法
 1−1 めっき液特性の向上(ファインピッチへの対応)
 1−2 接合信頼性の向上
 1−3 均一電着性の向上
2.はんだバンプめっき法
3.Wafer Level CSP向けCu/Ni/Auめっき法
4.バンプめっき用装置
 4−1 めっき速度の高速化
 4−2 めっき欠陥・ボイドの低減
 4−3 面内均一性の向上

第2節 鉛フリー材を用いた
FlipChip対応ウェハレベルマイクロボールバンプ形成技術

1.マイクロボールバンピングとリペアシステム
2.ボール材料
3.UBMと信頼性

                                                 目次TOP

第2章 各種接合技術の原理・特性と問題改善

第1節  ダイレクトプレーティングの種類と伝播メカニズム

1.ダイレクトプレーティングの開発と普及
2.ダイレクトプレーティングの種類とめっきの伝播メカニズム
3.Pd/Sn混合触媒層の導体化処理による変化
4.ABS樹脂上での触媒層付与とダイレクトプレーティングによるめっき層の成長
5.ダイレクトプレーティングの伝播メカニズム

第2節 はんだ接合技術・工法の原理と温度プロファイル

1.はんだ付け技術の原理
2.はんだ材料の種類
3.はんだ材料の状態図
4.はんだ付け工法の種類
 4−1 基板実装工程におけるソルダリング工程
 4−2 リフローソルダリング工法
  4−2−1 リフローソルダリング工法の種類と特徴
  4−2−2 温度プロファイルの持つ役割
  4−2−3 温度均一性
  4−2−4 望ましい温度バランス
 4−3 フローソルダリング工法
  4−3−1 フラックス塗布
  4−3−2 予熱(プリヒート)
  4−3−3 ソルダリング槽とフロー温度
  4−3−4 不活性雰囲気ソルダリング装置
 4−4 局所はんだ付け工法(はんだ鏝作業)

第3節 鉛フリーはんだ接合技術の実装プロセス

1.Sn-3.0Ag-0.5Cuはんだによる実装プロセス
 1−1 リフローソルダリングプロセス
 1−2 フローソルダリングプロセス
 1−3 マニュアルソルダリングプロセス
 1−4 その他のプロセス
2.その他の鉛フリーはんだ
3.最近の技術動向

第4節 異方性導電フィルム(ACF)を用いた接続技術

1.ACF接続原理と圧着工程
 1−1 接続原理
 1−2 圧着工程の解析
 1−3 圧着工程での不良発生
 1−4 圧着工法の改良
2.接続信頼性とその支配因子
 2−1 接着強度
 2−2 導電特性
 2−3 絶縁特性

                                                目次TOP

第3章 各種回路形成・配線技術の原理・特性と問題改善

第1節 露光法による回路形成プロセス露光装置の選定

1.回路形成プロセスと露光装置
2.露光(フォトリソグラフィ)技術
 2−1 高解像度・低収差投影光学系
 2−2 フォーカス(焦点合わせ)精度
 2−3 回路パターンの重ね合わせ精度
3.露光装置の種類と構成
 3−1 ArF液浸スキャン露光装置
 3−2 ArF/KrFスキャン露光装置
 3−3 i線一括露光装置

第2節は著作権の都合上、掲載しておりません

第3節 金属ナノ粒子インクの合成と微細配線形成

1.金属ナノ粒子の合成
2.ナノ粒子インクの特性
3.配線キュアの低温化

第4節 インクジェット印刷による微細配線技術

1.Printed Electronics
2.インクジェット印刷技術
3.インクジェット法による描画
4.配線層と基板の密着
5.インクジェット印刷技術による微細配線のこれから

                                                目次TOP

第4章 半導体へのめっき技術

1.バンプめっき
2.Cuダマシンめっきの添加剤
3.三次元実装の貫通電極形成
4.半導体へのめっき技術の将来展望
5.Cu配線,Ag配線
6.半導体デバイス,貫通電極
7.MEMSへの展開

                                                目次TOP

第5章 軽薄短小化・高密度化実装の技術トレンド

第1節 ビアホール形成技術の高精度化

[1] レーザ穴開け法によるホール形成技術

1.プリント基板穴あけ用レーザ加工機
 1−1 CO2レーザ加工機
 1−2 UV−YAGレーザ加工機
2.最近の技術動向
 2−1 小径・高テーパ化
 2−2 加工位置精度の向上
 2−3 高速加工
3.銅ダイレクト加工


[2] は著作権の都合上、掲載しておりません


第2節 フリップチップ実装技術における各種工法のメカニズム

1.C4工法
2.ACF工法(Anisotropic Conductive Film)
3.NCP工法
4.ESC工法
5.超音波工法

第3節 LCD実装の技術トレンド

[1] 液晶ドライバ用実装技術(TCP/COF)

1.TCP技術
 1−1 TCPプロセス
 1−2 ILB装置の基本仕様
 1−3 ILB装置のボンディング方法
2.LCD分野におけるCOF技術
 2−1 COFプロセス
 2−2 COF用FCB基本仕様
 2−3 COFにおける接続プロセスの比較
  2−3−1 Au−Sn共晶接合プロセス
  2−3−2 ACFプロセス
  2−3−3 NCPプロセス
  2−3−4 US(Ultra Sonic = 超音波)プロセス

[2] COF実装におけるボンディング技術と接続信頼性向上

1.各種フリップチップボンディング方式の分類と特徴
 1−1 圧接接合フリップチップ・ボンディング(ACF,NCP)
 1−2 金属接合フリップチップ・ボンディング
2.各ボンディング方式と特徴
 2−1 圧接接合COF(ACF,NCP)
  2−1−1 ACF工法,NCP工法の特徴
  2−1−2 金−スズ接合COF
3.COFにおける接続信頼性
 3−1 圧接工法における接続原理と接続信頼性に関する考察
 3−2 金−スズ工法における接続信頼性に関する考察
4.ファインピッチCOFにおける課題と取組
 4−1 COFテープ基板
 4−2 ボンディング位置精度
 4−3 信頼性向上における課題と取組

第4節 狭隣接実装の技術トレンド

[1] 0603チップ部品実装技術

1.0603チップ部品実装の現状
 1−1 チップ部品仕様
 1−2 実装基板の紹介
 1−3 実装関連材料
  1−3−2 はんだ材料
 1−4 実装不良内容
 1−5 はんだ付け品質と要因の関連
 1−6 実装評価基板(部品間隙間0.15mm)
2.マウンターのポイント
 2−1 マウンターのポイント
  2−1−1 実装精度
  2−1−2 部品吸着ノズル
  2−1−3 認識
  2−1−4 狭隣接実装ソフト
 2−2 吸着率,装着率に影響を及ぼす部品要因
3.はんだ付品質のポイント
 3−1 はんだ付け品質確保の要因
  3−1−1 印刷と実装品質の関係
  3−1−2 印刷機のはんだ抜け性の向上
 3−2 ブリッジ発生状況
 3−3 マイクロブリッジ
 3−4 はんだボール
  3−4−1 はんだボールの発生状況
  3−4−2 はんだボールとリフロー温度プロファイルの関係
 3−5 セルフアライメント効果
  3−5−1 セルフアライメントの状況
  3−5−2 セルフアライメント評価結果
 3−6 狭隣接実装用基板

[2] 微小チップ部品(0402・0603チップ)の狭隣接実装技術

1.高密度実装・微小部品の動向
 1−1 電子機器の動向
 1−2 部品の動向
2.狭隣接実装の取組み
 2−1 狭隣接の実装の要因分析
 2−2 評価基板
  2−2−1 0402狭隣接実装評価用基板の外観
  2−2−2 0402狭隣接実装評価用基板の仕様
  2−2−3 0603狭隣接実装評価用基板の外観
  2−2−4 0603狭隣接実装評価用基板の仕様
3.微小部品狭隣接実装の課題
 3−1 狭隣接実装の基本的な考え方
 3−2 狭隣接実装の課題
 3−3 欠品について
  3−2−1 欠品発生状況
  3−2−2 タッキング力測定
 3−4 セルフアライメントについて
 3−5 ブリッジについて
  3−5−1 部品間ブリッジ
  3−5−2 同一部品内ブリッジ
 3−6 はんだ不濡れについて
  3−6−1 はんだ不濡れ現象の観察
  3−6−2 リフロー温度プロファイルと不濡れ
  3−6−3 リフロー雰囲気とはんだ不濡れ
 3−7 高アスペクト比版離れ印刷について
  3−7−1 高アスペクト比版離れ状態
  3−7−2 体積率の測定
4.0402・0603実装基板
5.今後の狭隣接実装の動向
 5−1 今後の狭隣接実装の動向
 5−2 狭隣接実装の信頼性向上の条件

[3] 0402チップ抵抗器の性能と実装技術

1.0402チップ抵抗器の開発
 1−1 電子部品小型化の流れ
 1−2 電気的仕様
 1−3 機械的仕様
 1−4 性能
2.0402チップ抵抗器の開発の進め方
3.0402チップ抵抗器の実装技術
 3−1 部品
 3−2 はんだ濡れ性
 3−3 セルフアライメント性

第5節 SiP・3次元実装の技術トレンド

[1] SiPパッケージの外形・構造と実装技術

1.SiPの定義と分類
2.SiPのパッケージ外形・構造
3.SiPに使用される実装技術
 3−1 ウエハ研磨に関する技術
 3−2 ワイヤボンディング技術
 3−3 フリップチップ技術
 3−4 基板技術
4.その他のSiP技術
 4−1 PoP(Package on Package)
 4−2 CoC(Chip on Chip)

[2] SiP・3次元実装の設計と要素技術

1.半導体パッケージへの要求
2.SiPのロードマップ
3.SiP構造と適用製品群
 3−1 SiPとPoP
 3−2 SiP設計
4.SiPに必要なパッケージ要素技術
 4−1 裏面研磨
  @)裏面研磨プロセスの概要
  A)薄仕上げ裏面研磨の特徴
 4−2 ダイシング技術
  @)ブレードダイサー方式
  A)レーザダイシング技術
 4−3 ダイボンド技術
  @)ダイボンド技術課題
  A)ダイボンド装置の対応
 4−4 ワイヤボンド技術
  @)オーバーハング構造対応の接合技術
  A)チップ間ワイヤーボンディング技術
 4−5 フリップチップ技術
  @)Auはんだ接続
  A)はんだ−はんだ接続
5.今後のSiPでの新技術
 5−1 Si貫通電極構造の3次元実装技術
 5−2 チップ内蔵基板技術


第6節は著作権の都合上、掲載しておりません

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第6章 解析シミュレーションによる高密度実装の信頼性評価技術

第1節 数値解析シミュレーションの研究背景

1.電子機器の小型化、高密度化への背景
2.数値解析シミュレーションの目的

第2節 実装信頼性を評価する数値解析手法

1.基板構造とパラメータ
2.数値解析
 2−1 構造問題に対する数値解析の手法
 2−2 弾性変形と塑性変形
 2−3 熱応力
  2−3−1 熱応力平衡方程式
  2−3−2 歪みと変位の関係式
  2−3−3 応力と歪みの関係式
3.コンパクトモデル化手法
 3−1 要素の生成方法
  3−1−1 体積比法
  3−1−2 半田ボールのコンパクト法
 3−2 非線形解析手法
  3−2−1 サイクル評価法
  3−2−2接触解析の単純化法
  3−2−3 内部反復の単純化法
4.初期条件
5.境界条件
6.数値解析精度の検証と信頼性予測

第3節 構造問題に対する高密度実装のための最適設計

1.ビルドアップ基板上への高密度実装
2.最適構造設計
 2−1 コーティングレジスト
 2−2 RFP蓋めっき厚
 2−3 絶縁層厚
 2−4 FR4厚
 2−5 RFPの有無
 2−6 最適構造設計
3.FCAへの応用
 3−1 半田高さ
4.MCMへの応用
 4−1 FR4厚
 4−2 アンダーフィルの量
5.配線密度の差による影響

第4節 ACF接続における
導電性粒子の変形問題に対する断面構造解析と数値解析

1.ACF接続
2.断面構造解析
3.数値電場解析
4.数値構造解析

第5節 POP(Package on Package)数値解析における物性値信頼性

1.POP構造
2.数値解析と実機テスト
3.実測物性値を用いた数値解析

第6節 スタックビアの接続信頼性

1.スタックビアに発生するストレスと歪み評価のためのパラメータ
2.モデリング
3.数値解析結果

第7節 数値解析シミュレーションの将来展望

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