第1節 次世代高速通信向けプリント配線板用フィルムの開発
1.高速通信用多層基板とその製法
1.1 多層基板の作製方法:ビルドアップ工法
1.2 多層基板の作製方法:一括多層法
2.一括多層プロセスに適用される樹脂材料
2.1 液晶ポリマー
2.2 ポリアリールエーテルケトン
3.PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”
3.1 PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”の低温加工性
3.2 PAEK系熱可塑性樹脂フィルム”IBUKITM”の用途例
4.高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”
4.1 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の低誘電特性
4.2 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の伝送損失特性
4.3 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の高温時の誘電特性
4.4 高速通信向け一括多層基板用材料樹脂フィルム”New-IBUKITM”の厚み方向のCTE
第2節 高周波用ふっ素樹脂多層基板の開発動向
1.最近のふっ素基板の市場動向について
2.なぜふっ素樹脂基板なのか
3.ふっ素樹脂基板の種類、製法
4.ミリ波向け基板材料への要求事項
4.1 低損失化
4.2 低線膨張係数化
4.3 薄型化
4.4 比誘電率の低バラツキ化
5.ふっ素樹脂基板多層化ソリューション
6.今後の技術の展開の可能性
第3節 マルチワイヤ配線板の開発動向と高集積化への対応
1.MWBの特徴
1.1 回路形成
1.2 電気特性
2.MWBの開発動向
2.1 Φ0.050mmワイヤ開発
2.2 今後のMWB開発動向
3.MWBの高集積化への対応
3.1 Φ0.050mmワイヤと板間接合構造
3.2 層数アップの検討
第4節 プリント配線板に求められる大電流高放熱対応技術
1.プリント配線板における放熱技術分類
1.1 基板構造による放熱技術
1.2 材料による放熱技術
2.基板構造による放熱性向上技術の概要
2.1 サーマルスルホール
2.2 厚銅基板
2.3 メタルコア基板
2.4 銅インレイ基板
2.5 メガスルホール
2.6 銅ポスト基板
2.7 部品内蔵配線板の概要
3.放熱効果のシミュレーション
3.1 熱抵抗シミュレーション
3.2 許容電流値
4.メタルベース基板構造での放熱技術
4.1 低弾性材料基板
4.2 高放熱材料基板
4.3 高放熱高絶縁基板の製造における技術的課題
4.4 高放熱絶縁基板(IMS)の特長
4.5 2層構造メタルベース基板
第5節 小型表面実装部品のための基板放熱設計
1.電子機器の小型化と基板放熱設計
1.1 電子機器の実装形態と放熱経路の変化
1.2 電子部品の小型化と放熱設計の課題
1.3 基板放熱の重要性と部品の温度規定
2.基板放熱設計に用いる指標:熱抵抗
2.1 基板放熱設計の指標としての熱抵抗
2.2 目標熱抵抗と単体熱抵抗
2.3 熱抵抗による熱対策の選別
3.基板放熱活用のための部品レイアウト及びパターン設計
3.1 ライン状パターンにおけるレイアウトと温度上昇
3.2 高熱流束部品の活用と基板放熱設計
第6節 低粗度、高接着性を有する銅箔表面処理技術と高周波伝送特性
1.CuTAP技術
2.性能評価
2.1 評価銅箔
2.2 銅箔表面状態の確認
2.3 接着性評価
2.4 配線寸法精度
2.5 伝送損失
2.6 アンテナ利得
第7節 紫外線照射による樹脂基板上へのパターニングと無電解Ni-Pの選択析出
1.高周波用低誘電特性材料とめっきプロセス
2.無電解ニッケルーリンシード層を用いる高周波用配線形成
2.1 本研究の概念図
2.2 本研究の実験方法
2.3 液晶ポリマー上へのめっき
2.4 アセチレン・ブタジエン・スチレン樹脂
2.5 ポリフェニレンサルファイド樹脂
第8節 高速・高精度・微細印刷パターニング技術
1.微細印刷パターニング技術
2.反転オフセット印刷と付着力コントラスト印刷の概要
2.1 反転オフセット印刷プロセス
2.2 付着力コントラスト印刷プロセス
2.3 微細パターニング例
3.微細印刷に用いられるインク材料
3.1 印刷可能な材料とインク処方
3.2 インクの半乾燥と印刷品質
3.3 パターニングメカニズム
4.印刷装置
4.1 印刷装置の種類
4.2 長寸法精度の検証
5.ゴム変形の影響と応用プロセス
5.1 ゴム変形の接触力学
5.2 層間接続プロセス
5.3 歪み近接効果
5.4 底あたりとプッシュプルプロセス
第9節 銅マイクロ粒子のレーザ焼結による液晶高分子基板への配線形成技術
1.銅マイクロ粒子のレーザ焼結
1.1 銅マイクロ粒子ペースト
1.2 銅マイクロ粒子ペースト塗布膜の光吸収
1.3 液晶高分子基板の光学特性
1.4 銅マイクロ粒子レーザ焼結法
2.LCP基板への銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の形成と評価
2.1 LCP基板への銅マイクロ粒子レーザ焼結膜形成
2.2 LCP基板上の銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の引張試験
2.3 黒色LCP基板上に形成した銅マイクロ粒子レーザ焼結膜の静電容量測定
第10節 半導体パッケージ基板の微細配線化に対応した平坦化技術
1.研削、切削による平坦化技術
1.1 研削
1.2 バイト切削
2.ビルドアップ基板への平坦化技術の応用
2.1 コア基板内層の平坦化
2.2 コア基板最外層の平坦化
2.3 ビルドアップ絶縁樹脂層の平坦化
2.4 ビア配線の平坦化
2.5 ビア配線/ビルドアップ樹脂層の平坦化
2.6 チップ埋込基板の封止樹脂と配線金属の平坦化
第11節 次世代先端ICパッケージを支えるドリル加工技術
1.プリント配線板、パッケージサブストレートコアのメカニカルドリリング
1.1 プリント配線板用ドリルとNCボール盤
1.2 ドリルに求められる性能
1.3 ドリルの設計
2.次世代FC-BGAパッケージサブストレートコア向けのドリル開発
2.1 FC-BGAパッケージサブストレートコア材のメカニカルドリリングの動向
2.2 DLCコートドリル
2.3 コア材料とDLCコートドリルの改良の取り組み
第12節 真空紫外線を利用した半導体パッケージプロセスへの応用技術
1.半導体パッケージ技術への期待と課題
1.1 高周波信号の伝送ロス対策
1.2 セミアディティブプロセスにおける平滑界面の実現アプローチ
2.真空紫外線について
2.1 キセノンエキシマランプの特長
2.2 真空紫外線の作用
2.3 樹脂材料の真空紫外線吸収特性
3.真空紫外線を利用した密着改善技術
3.1 真空紫外線照射による無電解めっき層の密着性改善
3.2 レーザービアの小径化プロセスでの平滑化対応プロセス
3.3 銅ダイレクトスパッタシードの密着性改善
第13節 電子回路を樹脂成形品に埋設する技術とプリント基板フリー化
1.電子回路の樹脂成形品への埋設方法
1.1 電子機器製造工程数の削減
1.2 電子回路の樹脂成形品への埋設工程
1.3 3Dプリンタの適用
2.電子回路の埋設構造例
2.1 超薄型構造
2.2 立体回路構造
2.3 柔軟な電子機器
2.4 透明樹脂成形品への電子回路埋設
2.5 既存設計品への電子回路埋設
3.技術仕様
3.1 使用可能な樹脂成形材と電子部品
3.2 印刷回路の設計仕様
3.3 導電回路と樹脂成形品,電子部品電極の接合構造
3.4 長期信頼性
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